WSD60N10GDN56 N-Kanal 100 V 60 A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET-Produktübersicht
Die Spannung des WSD60N10GDN56 MOSFET beträgt 100 V, der Strom beträgt 60 A, der Widerstand beträgt 8,5 mΩ, der Kanal ist N-Kanal und das Gehäuse ist DFN5X6-8.
Anwendungsbereiche von WINSOK MOSFETs
MOSFET für E-Zigaretten, MOSFET für kabelloses Laden, MOSFET für Motoren, MOSFET für Drohnen, MOSFET für medizinische Versorgung, MOSFET für Autoladegeräte, MOSFET für Controller, MOSFET für digitale Produkte, MOSFET für kleine Haushaltsgeräte, MOSFET für Unterhaltungselektronik.
MOSFET-AnwendungsgebieteWINSOK MOSFET entspricht anderen Markenmaterialnummern
AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.Onsemi,FAIRCHILD MOSFET NTMFS6B14N.VISHAY MOSFET SiR84DP,SiR87ADP.INFINEON,IR MOSFET BSC19N1NS3G.TOSHIBA MOSFET 8R8ANH.PANJIT MOSFET PJQ5478A.NIKO-SEM MOSFET P81BKA.POTENS Halbleiter MOSFET PDC92X.
MOSFET-Parameter
| Symbol | Parameter | Bewertung | Einheiten |
| VDS | Drain-Source-Spannung | 100 | V |
| VGS | Gate-Source-Spannung | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Kontinuierlicher Abflussstrom | 60 | A |
| IDP | Gepulster Drainstrom | 210 | A |
| EAS | Lawinenenergie, Einzelimpuls | 100 | mJ |
| PD@TC=25℃ | Gesamtverlustleistung | 125 | W |
| TSTG | Lagertemperaturbereich | -55 bis 150 | ℃ |
| TJ | Betriebstemperaturbereich der Verbindungsstelle | -55 bis 150 | ℃ |
| Symbol | Parameter | Bedingungen | Min. | Typ. | Max. | Einheit |
| BVDSS | Drain-Source-Durchbruchspannung | VGS=0V , ID=250uA | 100 | --- | --- | V |
| Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand | VGS=10V,ID=10A. | --- | 8.5 | 10. 0 | mΩ | |
| RDS(EIN) | VGS=4,5V,ID=10A. | --- | 9.5 | 12. 0 | mΩ | |
| VGS(th) | Gate-Schwellenspannung | VGS=VDS, ICHD=250uA | 1,0 | --- | 2.5 | V |
| IDSS | Drain-Source-Leckstrom | VDS=80V , VGS=0V , TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| IGSS | Gate-Source-Leckstrom | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Qg | Gesamt-Gate-Ladung (10 V) | VDS=50V , VGS=10V , ID=25A | --- | 49.9 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source-Ladung | --- | 6.5 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain-Ladung | --- | 12.4 | --- | ||
| Td(on) | Einschaltverzögerungszeit | VDD=50V , VGS=10V ,RG=2,2Ω, ID=25A | --- | 20.6 | --- | ns |
| Tr | Aufstiegszeit | --- | 5 | --- | ||
| Td(aus) | Ausschaltverzögerungszeit | --- | 51.8 | --- | ||
| Tf | Herbstzeit | --- | 9 | --- | ||
| Ciss | Eingangskapazität | VDS=50V , VGS=0V , f=1MHz | --- | 2604 | --- | pF |
| Coss | Ausgangskapazität | --- | 362 | --- | ||
| CRSS | Rückübertragungskapazität | --- | 6.5 | --- | ||
| IS | Kontinuierlicher Quellstrom | VG=VD=0V, Strom erzwingen | --- | --- | 60 | A |
| ISP | Gepulster Quellstrom | --- | --- | 210 | A | |
| VSD | Diodendurchlassspannung | VGS=0V , IS=12A , TJ=25℃ | --- | --- | 1.3 | V |
| trr | Reverse-Recovery-Zeit | IF=12A,dI/dt=100A/µs,TJ=25℃ | --- | 60.4 | --- | nS |
| Qrr | Reverse Recovery Charge | --- | 106.1 | --- | nC |
