WSD6070DN56 N-Kanal 60V 80A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET-Produktübersicht
Die Spannung des WSD6070DN56 MOSFET beträgt 60 V, der Strom beträgt 80 A, der Widerstand beträgt 7,3 mΩ, der Kanal ist ein N-Kanal und das Gehäuse ist DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET-Anwendungsbereiche
MOSFET für E-Zigaretten, MOSFET für kabelloses Laden, MOSFET für Motoren, MOSFET für Drohnen, MOSFET für medizinische Versorgung, MOSFET für Autoladegeräte, MOSFET für Controller, MOSFET für digitale Produkte, MOSFET für kleine Haushaltsgeräte, MOSFET für Unterhaltungselektronik.
WINSOK MOSFET entspricht anderen Markenmaterialnummern
POTENS Halbleiter-MOSFET PDC696X.
MOSFET-Parameter
| Symbol | Parameter | Bewertung | Einheiten |
| VDS | Drain-Source-Spannung | 60 | V |
| VGS | Tor-SourCE-Spannung | ±20 | V |
| TJ | Maximale Sperrschichttemperatur | 150 | °C |
| ID | Lagertemperaturbereich | -55 bis 150 | °C |
| IS | Dioden-Dauerdurchlassstrom, TC=25°C | 80 | A |
| ID | Kontinuierlicher Drainstrom, VGS=10V,TC=25°C | 80 | A |
| Kontinuierlicher Drainstrom, VGS=10V,TC=100°C | 66 | A | |
| IDM | Gepulster Drainstrom, TC=25°C | 300 | A |
| PD | Maximale Verlustleistung,TC=25°C | 150 | W |
| Maximale Verlustleistung,TC=100°C | 75 | W | |
| RθJA | Wärmewiderstand-Verbindung zur Umgebung ,t =10s ̀ | 50 | °C/W |
| Wärmewiderstand-Verbindung zur Umgebung, stationärer Zustand | 62,5 | °C/W | |
| RqJC | Wärmewiderstandsverbindung zum Gehäuse | 1 | °C/W |
| IAS | Lawinenstrom, Einzelimpuls, L=0,5mH | 30 | A |
| EAS | Lawinenenergie, Einzelimpuls, L=0,5 mH | 225 | mJ |
| Symbol | Parameter | Bedingungen | Mindest. | Typ. | Max. | Einheit |
| BVDSS | Drain-Source-Durchbruchspannung | VGS=0V , ID=250uA | 60 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSTemperaturkoeffizient | Verweis auf 25℃, ICHD=1mA | --- | 0,043 | --- | V/℃ |
| RDS(EIN) | Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand2 | VGS=10V , ID=40A | --- | 7.0 | 9.0 | mΩ |
| VGS(th) | Gate-Schwellenspannung | VGS=VDS, ICHD=250uA | 2,0 | 3,0 | 4,0 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Temperaturkoeffizient | --- | -6,94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source-Leckstrom | VDS=48V , VGS=0V , TJ=25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS=48V , VGS=0V , TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Gate-Source-Leckstrom | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Vorwärtstranskonduktanz | VDS=5V , ID=20A | --- | 50 | --- | S |
| Rg | Torwiderstand | VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz | --- | 1,0 | --- | Ω |
| Qg | Gesamt-Gate-Ladung (10 V) | VDS=30V , VGS=10V , ID=40A | --- | 48 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source-Ladung | --- | 17 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain-Ladung | --- | 12 | --- | ||
| Td(on) | Einschaltverzögerungszeit | VDD=30V , VGEN=10V , RG=1Ω, ICHD=1A ,RL=15Ω. | --- | 16 | --- | ns |
| Tr | Aufstiegszeit | --- | 10 | --- | ||
| Td(aus) | Ausschaltverzögerungszeit | --- | 40 | --- | ||
| Tf | Abfallzeit | --- | 35 | --- | ||
| Ciss | Eingangskapazität | VDS=30V , VGS=0V , f=1MHz | --- | 2680 | --- | pF |
| Coss | Ausgangskapazität | --- | 386 | --- | ||
| CRSS | Rückübertragungskapazität | --- | 160 | --- |
