WSD6060DN56 N-Kanal 60V 65A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET-Produktübersicht
Die Spannung des WSD6060DN56 MOSFET beträgt 60 V, der Strom beträgt 65 A, der Widerstand beträgt 7,5 mΩ, der Kanal ist ein N-Kanal und das Gehäuse ist DFN5X6-8.
Anwendungsbereiche von WINSOK MOSFETs
MOSFET für E-Zigaretten, MOSFET für kabelloses Laden, MOSFET für Motoren, MOSFET für Drohnen, MOSFET für medizinische Versorgung, MOSFET für Autoladegeräte, MOSFET für Controller, MOSFET für digitale Produkte, MOSFET für kleine Haushaltsgeräte, MOSFET für Unterhaltungselektronik.
WINSOK MOSFET entspricht anderen Markenmaterialnummern
STMicroelectronics MOSFET STL5DN6F7.PANJIT MOSFET PSMQC73N6NS1.POTENS Halbleiter-MOSFET PDC696X.
MOSFET-Parameter
| Symbol | Parameter | Bewertung | Einheit | |
| Gemeinsame Bewertungen | ||||
| VDSS | Drain-Source-Spannung | 60 | V | |
| VGSS | Gate-Source-Spannung | ±20 | V | |
| TJ | Maximale Sperrschichttemperatur | 150 | °C | |
| TSTG | Lagertemperaturbereich | -55 bis 150 | °C | |
| IS | Diodenkontinuierlicher Durchlassstrom | Tc=25°C | 30 | A |
| ID | Kontinuierlicher Abflussstrom | Tc=25°C | 65 | A |
| Tc=70°C | 42 | |||
| Ich DM b | Puls-Drain-Strom getestet | Tc=25°C | 250 | A |
| PD | Maximale Verlustleistung | Tc=25°C | 62,5 | W |
| TC=70°C | 38 | |||
| RqJL | Thermischer Widerstandsübergang zu Blei | Gleichgewichtszustand | 2.1 | °C/W |
| RqJA | Wärmewiderstand-Verbindung zur Umgebung | t £ 10s | 45 | °C/W |
| Gleichgewichtszustandb | 50 | |||
| ICH ALS d | Lawinenstrom, Einzelimpuls | L=0,5mH | 18 | A |
| E AS d | Lawinenenergie, Einzelimpuls | L=0,5mH | 81 | mJ |
| Symbol | Parameter | Testbedingungen | Min. | Typ. | Max. | Einheit | |
| Statische Eigenschaften | |||||||
| BVDSS | Drain-Source-Durchbruchspannung | VGS=0V, IDS=250mA | 60 | - | - | V | |
| IDSS | Null-Gate-Spannungs-Drainstrom | VDS=48V, VGS=0V | - | - | 1 | mA | |
| TJ=85°C | - | - | 30 | ||||
| VGS(th) | Gate-Schwellenspannung | VDS=VGS, ICHDS=250mA | 1.2 | 1.5 | 2.5 | V | |
| IGSS | Gate-Leckstrom | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA | |
| R DS(EIN) 3 | Drain-Source-Einschaltwiderstand | VGS=10V, IDS=20A | - | 7.5 | 10 | m W | |
| VGS=4,5V, IDS=15 A | - | 10 | 15 | ||||
| Diodeneigenschaften | |||||||
| V SD | Diodendurchlassspannung | ISD=1A, VGS=0V | - | 0,75 | 1.2 | V | |
| trr | Reverse-Recovery-Zeit | ISD=20A, dlSD /dt=100A/µs | - | 42 | - | ns | |
| Qrr | Reverse Recovery Charge | - | 36 | - | nC | ||
| Dynamische Eigenschaften3,4 | |||||||
| RG | Torwiderstand | VGS=0V,VDS=0V,F=1MHz | - | 1.5 | - | W | |
| Ciss | Eingangskapazität | VGS=0V, VDS=30V, F=1,0 MHz Ω | - | 1340 | - | pF | |
| Coss | Ausgangskapazität | - | 270 | - | |||
| CRSS | Rückübertragungskapazität | - | 40 | - | |||
| td(EIN) | Einschaltverzögerungszeit | VDD=30V, IDS=1A, VGEN=10V, RG=6Ω. | - | 15 | - | ns | |
| tr | Einschaltanstiegszeit | - | 6 | - | |||
| td( AUS) | Ausschaltverzögerungszeit | - | 33 | - | |||
| tf | Abschalt-Fallzeit | - | 30 | - | |||
| Eigenschaften der Gate-Ladung 3,4 | |||||||
| Qg | Gesamte Gate-Gebühr | VDS=30V, VGS=4,5V, IDS=20A | - | 13 | - | nC | |
| Qg | Gesamte Gate-Gebühr | VDS=30V, VGS=10V, IDS=20A | - | 27 | - | ||
| Qgth | Schwellenwert-Gate-Ladung | - | 4.1 | - | |||
| Qgs | Gate-Source-Ladung | - | 5 | - | |||
| Qgd | Gate-Drain-Ladung | - | 4.2 | - | |||
