WSD6040DN56 N-Kanal 60V 36A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET-Produktübersicht
Die Spannung des WSD6040DN56 MOSFET beträgt 60 V, der Strom beträgt 36 A, der Widerstand beträgt 14 mΩ, der Kanal ist ein N-Kanal und das Gehäuse ist DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET-Anwendungsbereiche
MOSFET für E-Zigaretten, MOSFET für kabelloses Laden, MOSFET für Motoren, MOSFET für Drohnen, MOSFET für medizinische Versorgung, MOSFET für Autoladegeräte, MOSFET für Controller, MOSFET für digitale Produkte, MOSFET für kleine Haushaltsgeräte, MOSFET für Unterhaltungselektronik.
WINSOK MOSFET entspricht anderen Markenmaterialnummern
AOS MOSFET AON6264C,AON6264E,AON6266E,AONS6662.STMicroelectronics MOSFET STL8DN6LF6AG.PANJIT MOSFET PSMQC12N6LS1.POTENS Semiconductor MOSFET PDC6964X.
MOSFET-Parameter
| Symbol | Parameter | Bewertung | Einheiten | ||
| VDS | Drain-Source-Spannung | 60 | V | ||
| VGS | Gate-Source-Spannung | ±20 | V | ||
| ID | Kontinuierlicher Abflussstrom | TK=25°C | 36 | A | |
| TK=100°C | 22 | ||||
| ID | Kontinuierlicher Abflussstrom | TA=25°C | 8.4 | A | |
| TA=100°C | 6.8 | ||||
| IDMa | Gepulster Drainstrom | TK=25°C | 140 | A | |
| PD | Maximale Verlustleistung | TK=25°C | 37.8 | W | |
| TK=100°C | 15.1 | ||||
| PD | Maximale Verlustleistung | TA=25°C | 2.08 | W | |
| TA=70°C | 1.33 | ||||
| IAS c | Lawinenstrom, Einzelimpuls | L=0,5mH | 16 | A | |
| EASc | Einzelimpuls-Lawinenenergie | L=0,5mH | 64 | mJ | |
| IS | Diodenkontinuierlicher Durchlassstrom | TK=25°C | 18 | A | |
| TJ | Maximale Sperrschichttemperatur | 150 | ℃ | ||
| TSTG | Lagertemperaturbereich | -55 bis 150 | ℃ | ||
| RθJAb | Wärmewiderstandsübergang zur Umgebung | Gleichgewichtszustand | 60 | ℃/W | |
| RθJC | Wärmewiderstandsverbindung zum Gehäuse | Gleichgewichtszustand | 3.3 | ℃/W | |
| Symbol | Parameter | Bedingungen | Mindest. | Typ. | Max. | Einheit | |
| Statisch | |||||||
| V(BR)DSS | Drain-Source-Durchbruchspannung | VGS = 0 V, ID = 250 μA | 60 | V | |||
| IDSS | Null-Gate-Spannungs-Drainstrom | VDS = 48 V, VGS = 0 V | 1 | µA | |||
| TJ=85°C | 30 | ||||||
| IGSS | Gate-Leckstrom | VGS = ±20 V, VDS = 0 V | ±100 | nA | |||
| Über Eigenschaften | |||||||
| VGS(TH) | Gate-Schwellenspannung | VGS = VDS, IDS = 250 µA | 1 | 1.6 | 2.5 | V | |
| RDS(ein)d | Drain-Source-Einschaltwiderstand | VGS = 10 V, ID = 25 A | 14 | 17.5 | mΩ | ||
| VGS = 4,5 V, ID = 20 A | 19 | 22 | mΩ | ||||
| Wechseln | |||||||
| Qg | Gesamte Gate-Gebühr | VDS=30V VGS=10V ID=25A | 42 | nC | |||
| Qgs | Gate-Sour Charge | 6.4 | nC | ||||
| Qgd | Gate-Drain-Ladung | 9.6 | nC | ||||
| td (ein) | Einschaltverzögerungszeit | VGEN=10V VDD=30V ID=1A RG=6Ω RL=30Ω | 17 | ns | |||
| tr | Einschaltanstiegszeit | 9 | ns | ||||
| td(aus) | Ausschaltverzögerungszeit | 58 | ns | ||||
| tf | Abschalt-Fallzeit | 14 | ns | ||||
| Rg | Gat-Widerstand | VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz | 1.5 | Ω | |||
| Dynamisch | |||||||
| Ciss | In Kapazität | VGS=0V VDS=30V f=1MHz | 2100 | pF | |||
| Coss | Aus Kapazität | 140 | pF | ||||
| Krss | Rückübertragungskapazität | 100 | pF | ||||
| Eigenschaften und maximale Nennwerte der Drain-Source-Dioden | |||||||
| IS | Kontinuierlicher Quellstrom | VG=VD=0V, Kraftstrom | 18 | A | |||
| ISM | Gepulster Quellstrom3 | 35 | A | ||||
| VSDd | Diodendurchlassspannung | ISD = 20A, VGS=0V | 0,8 | 1.3 | V | ||
| trr | Reverse-Recovery-Zeit | ISD=25A, dlSD/dt=100A/µs | 27 | ns | |||
| Qrr | Reverse Recovery Charge | 33 | nC | ||||
