WSD45N10GDN56 N-Kanal 100 V 45 A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET-Produktübersicht
Die Spannung des WSD45N10GDN56 MOSFET beträgt 100 V, der Strom beträgt 45 A, der Widerstand beträgt 14,5 mΩ, der Kanal ist ein N-Kanal und das Gehäuse ist DFN5X6-8.
Anwendungsbereiche von WINSOK MOSFETs
MOSFET für E-Zigaretten, MOSFET für kabelloses Laden, MOSFET für Motoren, MOSFET für Drohnen, MOSFET für medizinische Versorgung, MOSFET für Autoladegeräte, MOSFET für Controller, MOSFET für digitale Produkte, MOSFET für kleine Haushaltsgeräte, MOSFET für Unterhaltungselektronik.
WINSOK MOSFET entspricht anderen Markenmaterialnummern
AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PJQ5476AL.POTENS Halbleiter MOSFET PDC966X.
MOSFET-Parameter
| Symbol | Parameter | Bewertung | Einheiten |
| VDS | Drain-Source-Spannung | 100 | V |
| VGS | Tor-SourCE-Spannung | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Kontinuierlicher Drainstrom, VGS@ 10V | 45 | A |
| ID@TC=100℃ | Kontinuierlicher Drainstrom, VGS@ 10V | 33 | A |
| ID@TA=25℃ | Kontinuierlicher Drainstrom, VGS@ 10V | 12 | A |
| ID@TA=70℃ | Kontinuierlicher Drainstrom, VGS@ 10V | 9.6 | A |
| IDMa | Gepulster Drainstrom | 130 | A |
| EASb | Einzelimpuls-Lawinenenergie | 169 | mJ |
| IASb | Lawinenstrom | 26 | A |
| PD@TC=25℃ | Gesamtverlustleistung | 95 | W |
| PD@TA=25℃ | Gesamtverlustleistung | 5,0 | W |
| TSTG | Lagertemperaturbereich | -55 bis 150 | ℃ |
| TJ | Betriebstemperaturbereich der Verbindungsstelle | -55 bis 150 | ℃ |
| Symbol | Parameter | Bedingungen | Min. | Typ. | Max. | Einheit |
| BVDSS | Drain-Source-Durchbruchspannung | VGS=0V , ID=250uA | 100 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS-Temperaturkoeffizient | Verweis auf 25℃, ICHD=1mA | --- | 0,0 | --- | V/℃ |
| RDS(EIN)d | Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand2 | VGS=10V , ID=26A | --- | 14.5 | 17.5 | mΩ |
| VGS(th) | Gate-Schwellenspannung | VGS=VDS, ICHD=250uA | 2,0 | 3,0 | 4,0 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Temperaturkoeffizient | --- | -5 | mV/℃ | ||
| IDSS | Drain-Source-Leckstrom | VDS=80V , VGS=0V , TJ=25℃ | --- | - | 1 | uA |
| VDS=80V , VGS=0V , TJ=55℃ | --- | - | 30 | |||
| IGSS | Gate-Source-Leckstrom | VGS=±20V, VDS=0V | --- | - | ±100 | nA |
| Rge | Torwiderstand | VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz | --- | 1,0 | --- | Ω |
| Qge | Gesamt-Gate-Ladung (10 V) | VDS=50V , VGS=10V , ID=26A | --- | 42 | 59 | nC |
| Qgse | Gate-Source-Ladung | --- | 12 | -- | ||
| Qgde | Gate-Drain-Ladung | --- | 12 | --- | ||
| Td(on)e | Einschaltverzögerungszeit | VDD=30V , VGEN=10V , RG=6Ω ID=1A ,RL=30Ω | --- | 19 | 35 | ns |
| Tre | Aufstiegszeit | --- | 9 | 17 | ||
| Td(aus)e | Ausschaltverzögerungszeit | --- | 36 | 65 | ||
| Tfe | Herbstzeit | --- | 22 | 40 | ||
| Cisse | Eingangskapazität | VDS=30V , VGS=0V , f=1MHz | --- | 1800 | --- | pF |
| Cosse | Ausgangskapazität | --- | 215 | --- | ||
| Crsse | Rückübertragungskapazität | --- | 42 | --- |
