WSD4280DN22 Dual-P-Kanal -15V -4,6A DFN2X2-6L WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET-Produktübersicht
Die Spannung des WSD4280DN22-MOSFET beträgt -15 V, der Strom beträgt -4,6 A, der Widerstand beträgt 47 mΩ, der Kanal ist ein Dual-P-Kanal und das Gehäuse ist DFN2X2-6L.
Anwendungsbereiche von WINSOK MOSFETs
Bidirektionaler Sperrschalter; DC-DC-Umwandlungsanwendungen; Laden von Li-Batterien; MOSFET für E-Zigaretten, MOSFET für drahtloses Laden, MOSFET für das Autoladen, MOSFET für Controller, MOSFET für digitale Produkte, MOSFET für kleine Haushaltsgeräte, MOSFET für Unterhaltungselektronik.
WINSOK MOSFET entspricht anderen Markenmaterialnummern
PANJIT MOSFET PJQ2815
MOSFET-Parameter
| Symbol | Parameter | Bewertung | Einheiten |
| VDS | Drain-Source-Spannung | -15 | V |
| VGS | Gate-Source-Spannung | ±8 | V |
| ID@Tc=25℃ | Kontinuierlicher Drainstrom, VGS= -4,5V1 | -4.6 | A |
| IDM | 300 μS gepulster Drainstrom, (VGS=-4,5V) | -15 | A |
| PD | Verlustleistungsreduzierung über TA = 25°C (Anmerkung 2) | 1.9 | W |
| TSTG,TJ | Lagertemperaturbereich | -55 bis 150 | ℃ |
| RθJA | Wärmewiderstandsübergang-Umgebung1 | 65 | ℃/W |
| RθJC | Thermowiderstands-Verbindungsgehäuse1 | 50 | ℃/W |
Elektrische Eigenschaften (TJ=25 ℃, sofern nicht anders angegeben)
| Symbol | Parameter | Bedingungen | Min. | Typ. | Max. | Einheit |
| BVDSS | Drain-Source-Durchbruchspannung | VGS=0V , ID=-250uA | -15 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS-Temperaturkoeffizient | Verweis auf 25℃, ID=-1mA | --- | -0,01 | --- | V/℃ |
| RDS(EIN) | Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand2 | VGS=-4,5V, ID=-1A | --- | 47 | 61 | mΩ |
| VGS=-2,5V, ID=-1A | --- | 61 | 80 | |||
| VGS=-1,8V, ID=-1A | --- | 90 | 150 | |||
| VGS(th) | Gate-Schwellenspannung | VGS=VDS, ICHD=-250uA | -0,4 | -0,62 | -1.2 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Temperaturkoeffizient | --- | 3.13 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source-Leckstrom | VDS=-10V, VGS=0V , TJ=25℃ | --- | --- | -1 | uA |
| VDS=-10V, VGS=0V , TJ=55℃ | --- | --- | -5 | |||
| IGSS | Gate-Source-Leckstrom | VGS=±12V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Vorwärtstranskonduktanz | VDS=-5V , ID=-1A | --- | 10 | --- | S |
| Rg | Torwiderstand | VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz | --- | 2 | --- | Ω |
| Qg | Gesamte Gate-Ladung (-4,5 V) | VDS=-10V, VGS=-4,5V, ID=-4,6A | --- | 9.5 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source-Ladung | --- | 1.4 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain-Ladung | --- | 2.3 | --- | ||
| Td(on) | Einschaltverzögerungszeit | VDD=-10V ,VGS=-4,5V, RG=1Ω ID=-3,9A, | --- | 15 | --- | ns |
| Tr | Aufstiegszeit | --- | 16 | --- | ||
| Td(aus) | Ausschaltverzögerungszeit | --- | 30 | --- | ||
| Tf | Herbstzeit | --- | 10 | --- | ||
| Ciss | Eingangskapazität | VDS=-10V, VGS=0V , f=1MHz | --- | 781 | --- | pF |
| Coss | Ausgangskapazität | --- | 98 | --- | ||
| CRSS | Rückübertragungskapazität | --- | 96 | --- |
