WSD4098 Dual N-Kanal 40V 22A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET
Allgemeine Beschreibung
Der WSD4098DN56 ist der leistungsstärkste Trench-Dual-N-Ch-MOSFET mit extrem hoher Zelldichte, der für die meisten synchronen Abwärtswandleranwendungen hervorragende RDSON- und Gate-Ladung bietet.Der WSD4098DN56 erfüllt die RoHS- und Green-Product-Anforderungen mit 100 % EAS-Garantie und zugelassener voller Funktionszuverlässigkeit.
Merkmale
Fortschrittliche Trench-Technologie mit hoher Zelldichte, extrem niedrige Gate-Ladung, hervorragende Reduzierung des CdV/dt-Effekts, 100 % EAS-Garantie, umweltfreundliches Gerät verfügbar
Anwendungen
Hochfrequenz-Point-of-Load-Synchron-Abwärtswandler für MB/NB/UMPC/VGA, Netzwerk-DC-DC-Stromversorgungssystem, Lastschalter, E-Zigaretten, kabelloses Laden, Motoren, Drohnen, medizinische Versorgung, Autoladegeräte, Controller, digital Produkte, kleine Haushaltsgeräte, Unterhaltungselektronik.
entsprechende Materialnummer
AOS AON6884
Wichtige Parameter
| Symbol | Parameter | Bewertung | Einheit | |
| Gemeinsame Bewertungen | ||||
| VDSS | Drain-Source-Spannung | 40 | V | |
| VGSS | Gate-Source-Spannung | ±20 | V | |
| TJ | Maximale Sperrschichttemperatur | 150 | °C | |
| TSTG | Lagertemperaturbereich | -55 bis 150 | °C | |
| IS | Diodenkontinuierlicher Durchlassstrom | TA=25°C | 11.4 | A |
| ID | Kontinuierlicher Abflussstrom | TA=25°C | 22 | A |
| TA=70°C | 22 | |||
| Ich DM b | Puls-Drain-Strom getestet | TA=25°C | 88 | A |
| PD | Maximale Verlustleistung | T. =25°C | 25 | W |
| TK=70°C | 10 | |||
| RqJL | Thermischer Widerstandsübergang zu Blei | Gleichgewichtszustand | 5 | °C/W |
| RqJA | Wärmewiderstand-Verbindung zur Umgebung | t £ 10s | 45 | °C/W |
| Steady State b | 90 | |||
| ICH AS d | Lawinenstrom, Einzelimpuls | L=0,5mH | 28 | A |
| E AS d | Lawinenenergie, Einzelimpuls | L=0,5mH | 39.2 | mJ |
| Symbol | Parameter | Test-Bedingungen | Mindest. | Typ. | Max. | Einheit | |
| Statische Eigenschaften | |||||||
| BVDSS | Drain-Source-Durchbruchspannung | VGS=0V, IDS=250mA | 40 | - | - | V | |
| IDSS | Null-Gate-Spannungs-Drainstrom | VDS=32V, VGS=0V | - | - | 1 | mA | |
| TJ=85°C | - | - | 30 | ||||
| VGS(th) | Gate-Schwellenspannung | VDS=VGS, IDS=250mA | 1.2 | 1.8 | 2.5 | V | |
| IGSS | Gate-Leckstrom | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA | |
| R DS(ON) e | Drain-Source-Einschaltwiderstand | VGS=10V, IDS=14A | - | 6.8 | 7.8 | m W | |
| VGS=4,5 V, IDS=12 A | - | 9.0 | 11 | ||||
| Diodeneigenschaften | |||||||
| V SD e | Diodendurchlassspannung | ISD=1A, VGS=0V | - | 0,75 | 1.1 | V | |
| trr | Reverse-Recovery-Zeit | ISD=20A, dlSD/dt=100A/µs | - | 23 | - | ns | |
| Qrr | Reverse Recovery Charge | - | 13 | - | nC | ||
| Dynamische Eigenschaften f | |||||||
| RG | Torwiderstand | VGS=0V,VDS=0V,F=1MHz | - | 2.5 | - | W | |
| Ciss | Eingangskapazität | VGS=0V, VDS=20V, Frequenz = 1,0 MHz | - | 1370 | 1781 | pF | |
| Coss | Ausgangskapazität | - | 317 | - | |||
| Krss | Rückübertragungskapazität | - | 96 | - | |||
| td(EIN) | Einschaltverzögerungszeit | VDD =20V, RL=20W, IDS=1A, VGEN=10V, RG=6W | - | 13.8 | - | ns | |
| tr | Einschaltanstiegszeit | - | 8 | - | |||
| td( AUS) | Ausschaltverzögerungszeit | - | 30 | - | |||
| tf | Abschalt-Fallzeit | - | 21 | - | |||
| Gate-Ladungseigenschaften f | |||||||
| Qg | Gesamte Gate-Gebühr | VDS=20V, VGS=10V, IDS=6A | - | 23 | 28 | nC | |
| Qg | Gesamte Gate-Gebühr | VDS=20V, VGS=4,5V, IDS=6A | - | 22 | - | ||
| Qgth | Schwellenwert-Gate-Ladung | - | 2.6 | - | |||
| Qgs | Gate-Source-Ladung | - | 4.7 | - | |||
| Qgd | Gate-Drain-Ladung | - | 3 | - | |||
