WSD4080DN56 N-Kanal 40V 85A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET-Produktübersicht
Die Spannung des WSD4080DN56 MOSFET beträgt 40 V, der Strom beträgt 85 A, der Widerstand beträgt 4,5 mΩ, der Kanal ist N-Kanal und das Gehäuse ist DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET-Anwendungsbereiche
Kleingeräte-MOSFET, Handgeräte-MOSFET, Motoren-MOSFET.
WINSOK MOSFET entspricht anderen Markenmaterialnummern
AOS MOSFET AON623.STMicroelectronics MOSFET STL52DN4LF7AG,STL64DN4F7AG,STL64N4F7AG.PANJIT MOSFET PJQ5442.POTENS Halbleiter MOSFET PDC496X.
MOSFET-Parameter
| Symbol | Parameter | Bewertung | Einheiten |
| VDS | Drain-Source-Spannung | 40 | V |
| VGS | Tor-SourCE-Spannung | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Kontinuierlicher Drainstrom, VGS @ 10V1 | 85 | A |
| ID@TC=100℃ | Kontinuierlicher Drainstrom, VGS @ 10V1 | 58 | A |
| IDM | Gepulster Drainstrom2 | 100 | A |
| EAS | Einzelimpuls-Lawinenenergie3 | 110,5 | mJ |
| IAS | Lawinenstrom | 47 | A |
| PD@TC=25℃ | Gesamtverlustleistung4 | 52.1 | W |
| TSTG | Lagertemperaturbereich | -55 bis 150 | ℃ |
| TJ | Betriebstemperaturbereich der Verbindungsstelle | -55 bis 150 | ℃ |
| RθJA | Wärmewiderstand Übergang-Umgebung1 | 62 | ℃/W |
| RθJC | Thermowiderstands-Verbindungsgehäuse1 | 2.4 | ℃/W |
| Symbol | Parameter | Bedingungen | Mindest. | Typ. | Max. | Einheit |
| BVDSS | Drain-Source-Durchbruchspannung | VGS=0V, ID=250uA | 40 | --- | --- | V |
| RDS(EIN) | Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand2 | VGS=10V, ID=10A | --- | 4.5 | 6.5 | mΩ |
| VGS=4,5V, ID=5A | --- | 6.4 | 8.5 | |||
| VGS(th) | Gate-Schwellenspannung | VGS=VDS, ID =250uA | 1,0 | --- | 2.5 | V |
| IDSS | Drain-Source-Leckstrom | VDS=32V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=32V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Gate-Source-Leckstrom | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Vorwärtstranskonduktanz | VDS=10V, ID=5A | --- | 27 | --- | S |
| Qg | Gesamt-Gate-Ladung (4,5 V) | VDS=20V, VGS=4,5V, ID=10A | --- | 20 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source-Ladung | --- | 5.8 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain-Ladung | --- | 9.5 | --- | ||
| Td(on) | Einschaltverzögerungszeit | VDD=15V, VGS=10V RG=3,3Ω ID=1A | --- | 15.2 | --- | ns |
| Tr | Aufstiegszeit | --- | 8.8 | --- | ||
| Td(aus) | Ausschaltverzögerungszeit | --- | 74 | --- | ||
| Tf | Abfallzeit | --- | 7 | --- | ||
| Ciss | Eingangskapazität | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 2354 | --- | pF |
| Coss | Ausgangskapazität | --- | 215 | --- | ||
| Krss | Rückübertragungskapazität | --- | 175 | --- | ||
| IS | Kontinuierlicher Quellstrom1,5 | VG=VD=0V, Strom erzwingen | --- | --- | 70 | A |
| VSD | Diodendurchlassspannung2 | VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | V |
