WSD4076DN56 N-Kanal 40V 76A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET-Produktübersicht
Die Spannung des WSD4076DN56 MOSFET beträgt 40 V, der Strom beträgt 76 A, der Widerstand beträgt 6,9 mΩ, der Kanal ist ein N-Kanal und das Gehäuse ist DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET-Anwendungsbereiche
Kleingeräte-MOSFET, Handgeräte-MOSFET, Motoren-MOSFET.
WINSOK MOSFET entspricht anderen Markenmaterialnummern
STMicroelectronics MOSFET STL52DN4LF7AG, STL64DN4F7AG, STL64N4F7AG.
PANJIT MOSFET PJQ5442.
POTENS Halbleiter-MOSFET PDC496X.
MOSFET-Parameter
| Symbol | Parameter | Bewertung | Einheiten |
| VDS | Drain-Source-Spannung | 40 | V |
| VGS | Tor-SourCE-Spannung | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Kontinuierlicher Drainstrom, VGS@ 10V | 76 | A |
| ID@TC=100℃ | Kontinuierlicher Drainstrom, VGS@ 10V | 33 | A |
| IDM | Gepulster Drainstroma | 125 | A |
| EAS | Einzelimpuls-Lawinenenergieb | 31 | mJ |
| IAS | Lawinenstrom | 31 | A |
| PD@Ta=25℃ | Gesamtverlustleistung | 1.7 | W |
| TSTG | Lagertemperaturbereich | -55 bis 150 | ℃ |
| TJ | Betriebstemperaturbereich der Verbindungsstelle | -55 bis 150 | ℃ |
| Symbol | Parameter | Bedingungen | Mindest. | Typ. | Max. | Einheit |
| BVDSS | Drain-Source-Durchbruchspannung | VGS=0V , ID=250uA | 40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSTemperaturkoeffizient | Verweis auf 25℃, ICHD=1mA | --- | 0,043 | --- | V/℃ |
| RDS(EIN) | Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand2 | VGS=10V , ID=12A | --- | 6.9 | 8.5 | mΩ |
| RDS(EIN) | Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand2 | VGS=4,5V, ID=10A | --- | 10 | 15 | mΩ |
| VGS(th) | Gate-Schwellenspannung | VGS=VDS, ICHD=250uA | 1.5 | 1.6 | 2.5 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Temperaturkoeffizient | --- | -6,94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source-Leckstrom | VDS=32V , VGS=0V , TJ=25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS=32V , VGS=0V , TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Gate-Source-Leckstrom | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Vorwärtstranskonduktanz | VDS=5V , ID=20A | --- | 18 | --- | S |
| Rg | Torwiderstand | VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz | --- | 1.7 | --- | Ω |
| Qg | Gesamt-Gate-Ladung (10 V) | VDS=20V , VGS=4,5V, ID=12A | --- | 5.8 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source-Ladung | --- | 3,0 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain-Ladung | --- | 1.2 | --- | ||
| Td(on) | Einschaltverzögerungszeit | VDD=15V , VGEN=10V , RG=3,3Ω, ICHD=1A . | --- | 12 | --- | ns |
| Tr | Aufstiegszeit | --- | 5.6 | --- | ||
| Td(aus) | Ausschaltverzögerungszeit | --- | 20 | --- | ||
| Tf | Abfallzeit | --- | 11 | --- | ||
| Ciss | Eingangskapazität | VDS=15V , VGS=0V , f=1MHz | --- | 680 | --- | pF |
| Coss | Ausgangskapazität | --- | 185 | --- | ||
| CRSS | Rückübertragungskapazität | --- | 38 | --- |
