WSD4018DN22 P-Kanal -40V -18A DFN2X2-6L WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET-Produktübersicht
Die Spannung des WSD4018DN22 MOSFET beträgt -40 V, der Strom beträgt -18 A, der Widerstand beträgt 26 mΩ, der Kanal ist ein P-Kanal und das Gehäuse ist DFN2X2-6L.
WINSOK MOSFET-Anwendungsbereiche
Fortschrittliche Trench-Technologie mit hoher Zelldichte, extrem niedrige Gate-Ladung, hervorragende Reduzierung des Cdv/dt-Effekts. Green Device verfügbar, MOSFET für Gesichtserkennungsgeräte, MOSFET für E-Zigaretten, MOSFET für kleine Haushaltsgeräte, MOSFET für Autoladegeräte.
WINSOK MOSFET entspricht anderen Markenmaterialnummern
AOS MOSFET AON2409, POTENS MOSFET PDB3909L
MOSFET-Parameter
| Symbol | Parameter | Bewertung | Einheiten |
| VDS | Drain-Source-Spannung | -40 | V |
| VGS | Gate-Source-Spannung | ±20 | V |
| ID@Tc=25℃ | Kontinuierlicher Drainstrom, VGS@ -10V1 | -18 | A |
| ID@Tc=70℃ | Kontinuierlicher Drainstrom, VGS@ -10V1 | -14.6 | A |
| IDM | 300 μS gepulster Drainstrom, VGS=-4,5V2 | 54 | A |
| PD@Tc=25℃ | Gesamtverlustleistung3 | 19 | W |
| TSTG | Lagertemperaturbereich | -55 bis 150 | ℃ |
| TJ | Betriebstemperaturbereich der Verbindungsstelle | -55 bis 150 | ℃ |
Elektrische Eigenschaften (TJ=25 ℃, sofern nicht anders angegeben)
| Symbol | Parameter | Bedingungen | Mindest. | Typ. | Max. | Einheit |
| BVDSS | Drain-Source-Durchbruchspannung | VGS=0V , ID=-250uA | -40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS-Temperaturkoeffizient | Verweis auf 25℃, ID=-1mA | --- | -0,01 | --- | V/℃ |
| RDS(EIN) | Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand2 | VGS=-10V , ID=-8,0A | --- | 26 | 34 | mΩ |
| VGS=-4,5V, ID=-6,0A | --- | 31 | 42 | |||
| VGS(th) | Gate-Schwellenspannung | VGS=VDS, ICHD=-250uA | -1,0 | -1,5 | -3,0 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Temperaturkoeffizient | --- | 3.13 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source-Leckstrom | VDS=-40V, VGS=0V , TJ=25℃ | --- | --- | -1 | uA |
| VDS=-40V, VGS=0V , TJ=55℃ | --- | --- | -5 | |||
| IGSS | Gate-Source-Leckstrom | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Qg | Gesamte Gate-Ladung (-4,5 V) | VDS=-20V, VGS=-10V , ID=-1,5A | --- | 27 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source-Ladung | --- | 2.5 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain-Ladung | --- | 6.7 | --- | ||
| Td(on) | Einschaltverzögerungszeit | VDD=-20V, VGS=-10V ,RG=3Ω , RL=10Ω | --- | 9.8 | --- | ns |
| Tr | Aufstiegszeit | --- | 11 | --- | ||
| Td(aus) | Ausschaltverzögerungszeit | --- | 54 | --- | ||
| Tf | Abfallzeit | --- | 7.1 | --- | ||
| Ciss | Eingangskapazität | VDS=-20V, VGS=0V , f=1MHz | --- | 1560 | --- | pF |
| Coss | Ausgangskapazität | --- | 116 | --- | ||
| CRSS | Rückübertragungskapazität | --- | 97 | --- |
