WSD40120DN56 N-Kanal 40V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET-Produktübersicht
Die Spannung des WSD40120DN56 MOSFET beträgt 40 V, der Strom beträgt 120 A, der Widerstand beträgt 1,85 mΩ, der Kanal ist N-Kanal und das Gehäuse ist DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET-Anwendungsbereiche
MOSFET für E-Zigaretten, MOSFET für kabelloses Laden, MOSFET für Drohnen, MOSFET für medizinische Versorgung, MOSFET für Autoladegeräte, MOSFET für Controller, MOSFET für digitale Produkte, MOSFET für kleine Haushaltsgeräte, MOSFET für Unterhaltungselektronik.
WINSOK MOSFET entspricht anderen Markenmaterialnummern
AOS MOSFET AON6234,AON6232,AON623.Onsemi,FAIRCHILD MOSFET NVMFS5C442NL.VISHAY MOSFET SiRA52ADP,SiJA52ADP.STMicroelectronics MOSFET STL12N4LF6AG.NXP MOSFET PH484S.TOSHIBA MOSFET TPH1R14PB.PANJIT MOSFET PJQ544. NIKO-SEM MOSFET PKCSBB.POTENS Halbleiter-MOSFET PDC496X.
MOSFET-Parameter
| Symbol | Parameter | Bewertung | Einheiten |
| VDS | Drain-Source-Spannung | 40 | V |
| VGS | Tor-SourCE-Spannung | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Kontinuierlicher Drainstrom, VGS@ 10V1,7 | 120 | A |
| ID@TC=100℃ | Kontinuierlicher Drainstrom, VGS@ 10V1,7 | 100 | A |
| IDM | Gepulster Drainstrom2 | 400 | A |
| EAS | Einzelimpuls-Lawinenenergie3 | 240 | mJ |
| IAS | Lawinenstrom | 31 | A |
| PD@TC=25℃ | Gesamtverlustleistung4 | 104 | W |
| TSTG | Lagertemperaturbereich | -55 bis 150 | ℃ |
| TJ | Betriebstemperaturbereich der Verbindungsstelle | -55 bis 150 | ℃ |
| Symbol | Parameter | Bedingungen | Mindest. | Typ. | Max. | Einheit |
| BVDSS | Drain-Source-Durchbruchspannung | VGS=0V , ID=250uA | 40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSTemperaturkoeffizient | Verweis auf 25℃, ICHD=1mA | --- | 0,043 | --- | V/℃ |
| RDS(EIN) | Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand2 | VGS=10V , ID=30A | --- | 1,85 | 2.4 | mΩ |
| RDS(EIN) | Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand2 | VGS=4,5V, ID=20A | --- | 2.5 | 3.3 | mΩ |
| VGS(th) | Gate-Schwellenspannung | VGS=VDS, ICHD=250uA | 1.5 | 1.8 | 2.5 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Temperaturkoeffizient | --- | -6,94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source-Leckstrom | VDS=32V , VGS=0V , TJ=25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS=32V , VGS=0V , TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Gate-Source-Leckstrom | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Vorwärtstranskonduktanz | VDS=5V , ID=20A | --- | 55 | --- | S |
| Rg | Torwiderstand | VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz | --- | 1.1 | 2 | Ω |
| Qg | Gesamt-Gate-Ladung (10 V) | VDS=20V , VGS=10V , ID=10A | --- | 76 | 91 | nC |
| Qgs | Gate-Source-Ladung | --- | 12 | 14.4 | ||
| Qgd | Gate-Drain-Ladung | --- | 15.5 | 18.6 | ||
| Td(on) | Einschaltverzögerungszeit | VDD=30V , VGEN=10V , RG=1Ω, ICHD=1A ,RL=15Ω. | --- | 20 | 24 | ns |
| Tr | Aufstiegszeit | --- | 10 | 12 | ||
| Td(aus) | Ausschaltverzögerungszeit | --- | 58 | 69 | ||
| Tf | Abfallzeit | --- | 34 | 40 | ||
| Ciss | Eingangskapazität | VDS=20V , VGS=0V , f=1MHz | --- | 4350 | --- | pF |
| Coss | Ausgangskapazität | --- | 690 | --- | ||
| CRSS | Rückübertragungskapazität | --- | 370 | --- |
