WSD30L88DN56 Dual-P-Kanal -30V -49A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

Kurzbeschreibung:

Modellnummer:WSD30L88DN56

BVDSS:30V

RDSON:11,5 mΩ

AUSWEIS:-49A

Kanal:Dualer P-Kanal

Paket:DFN5*6-8

Produktübersicht:Die Spannung des WSD30L88DN56 MOSFET beträgt -30 V, der Strom beträgt -49 A, der Widerstand beträgt 11,5 mΩ, der Kanal ist ein Dual-P-Kanal und das Gehäuse ist DFN5*6-8.

Anwendungen:E-Zigaretten, kabelloses Laden, Motoren, Drohnen, medizinische Versorgung, Autoladegeräte, Controller, digitale Produkte, kleine Haushaltsgeräte, Unterhaltungselektronik.

Senden Sie uns eine E-Mail PDF

Produktdetails

Anwendung

Produkt-Tags

Allgemeine Beschreibung

Der WSD30L88DN56 ist der leistungsstärkste Trench-Dual-P-Ch-MOSFET mit extrem hoher Zelldichte, der für die meisten synchronen Abwärtswandleranwendungen hervorragende RDSON- und Gate-Ladung bietet. Der WSD30L88DN56 erfüllt die RoHS- und Green-Product-Anforderungen mit 100 % EAS-Garantie und zugelassener voller Funktionszuverlässigkeit.

Merkmale

Fortschrittliche Trench-Technologie mit hoher Zelldichte, extrem niedrige Gate-Ladung, hervorragende Reduzierung des CdV/dt-Effekts, 100 % EAS-Garantie, umweltfreundliches Gerät verfügbar.

Anwendungen

Hochfrequenz-Point-of-Load-Synchron-Abwärtswandler für MB/NB/UMPC/VGA, Netzwerk-DC-DC-Stromversorgungssystem, Lastschalter, E-Zigaretten, kabelloses Laden, Motoren, Drohnen, medizinische Versorgung, Autoladegeräte, Controller, digital Produkte, kleine Haushaltsgeräte, Unterhaltungselektronik.

entsprechende Materialnummer

AOS

Wichtige Parameter

Symbol	Parameter	Bewertung	Einheiten
VDS	Drain-Source-Spannung	-30	V
VGS	Gate-Source-Spannung	±20	V
ID@TC=25℃	Kontinuierlicher Entladestrom, VGS bei -10 V1	-49	A
ID@TC=100℃	Kontinuierlicher Entladestrom, VGS bei -10 V1	-23	A
IDM	Gepulster Drainstrom2	-120	A
EAS	Einzelimpuls-Lawinenenergie3	68	mJ
PD@TC=25℃	Gesamtverlustleistung4	40	W
TSTG	Lagertemperaturbereich	-55 bis 150	℃
TJ	Betriebstemperaturbereich der Verbindungsstelle	-55 bis 150	℃