WSD30350DN56G N-Kanal 30V 350A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET-Produktübersicht
Die Spannung des WSD30350DN56G MOSFET beträgt 30 V, der Strom beträgt 350 A, der Widerstand beträgt 1,8 mΩ, der Kanal ist ein N-Kanal und das Gehäuse ist DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET-Anwendungsbereiche
MOSFET für E-Zigaretten, MOSFET für kabelloses Laden, MOSFET für Drohnen, MOSFET für medizinische Versorgung, MOSFET für Autoladegeräte, MOSFET für Controller, MOSFET für digitale Produkte, MOSFET für kleine Haushaltsgeräte, MOSFET für Unterhaltungselektronik.
MOSFET-Parameter
| Symbol | Parameter | Bewertung | Einheiten |
| VDS | Drain-Source-Spannung | 30 | V |
| VGS | Tor-SourCE-Spannung | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Kontinuierlicher Abflussstrom（Silicon Limited）1,7 | 350 | A |
| ID@TC=70℃ | Kontinuierlicher Abflussstrom (Silicon Limited）1,7 | 247 | A |
| IDM | Gepulster Drainstrom2 | 600 | A |
| EAS | Einzelimpuls-Lawinenenergie3 | 1800 | mJ |
| IAS | Lawinenstrom | 100 | A |
| PD@TC=25℃ | Gesamtverlustleistung4 | 104 | W |
| TSTG | Lagertemperaturbereich | -55 bis 150 | ℃ |
| TJ | Betriebstemperaturbereich der Verbindungsstelle | -55 bis 150 | ℃ |
| Symbol | Parameter | Bedingungen | Mindest. | Typ. | Max. | Einheit |
| BVDSS | Drain-Source-Durchbruchspannung | VGS=0V , ID=250uA | 30 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSTemperaturkoeffizient | Verweis auf 25℃, ICHD=1mA | --- | 0,022 | --- | V/℃ |
| RDS(EIN) | Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand2 | VGS=10V , ID=20A | --- | 0,48 | 0,62 | mΩ |
| VGS=4,5V, ID=20A | --- | 0,72 | 0,95 | |||
| VGS(th) | Gate-Schwellenspannung | VGS=VDS, ICHD=250uA | 1.2 | 1.5 | 2.5 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Temperaturkoeffizient | --- | -6.1 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source-Leckstrom | VDS=24V , VGS=0V , TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=24V , VGS=0V , TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Gate-Source-Leckstrom | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Vorwärtstranskonduktanz | VDS=5V , ID=10A | --- | 40 | --- | S |
| Rg | Torwiderstand | VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz | --- | 3.8 | 1.5 | Ω |
| Qg | Gesamt-Gate-Ladung (4,5 V) | VDS=15V , VGS=4,5V, ID=20A | --- | 89 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source-Ladung | --- | 37 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain-Ladung | --- | 20 | --- | ||
| Td(on) | Einschaltverzögerungszeit | VDD=15V , VGEN=10V , RG=1Ω, ICHD=10A | --- | 25 | --- | ns |
| Tr | Aufstiegszeit | --- | 34 | --- | ||
| Td(aus) | Ausschaltverzögerungszeit | --- | 61 | --- | ||
| Tf | Abfallzeit | --- | 18 | --- | ||
| Ciss | Eingangskapazität | VDS=15V , VGS=0V , f=1MHz | --- | 7845 | --- | pF |
| Coss | Ausgangskapazität | --- | 4525 | --- | ||
| CRSS | Rückübertragungskapazität | --- | 139 | --- |
