WSD30300DN56G N-Kanal 30V 300A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET-Produktübersicht
Die Spannung des WSD20100DN56 MOSFET beträgt 20 V, der Strom beträgt 90 A, der Widerstand beträgt 1,6 mΩ, der Kanal ist N-Kanal und das Gehäuse ist DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET-Anwendungsbereiche
Elektronische Zigaretten MOSFET, Drohnen MOSFET, Elektrowerkzeuge MOSFET, Blendenpistolen MOSFET, PD MOSFET, kleine Haushaltsgeräte MOSFET.
WINSOK MOSFET entspricht anderen Markenmaterialnummern
AOS MOSFET AON6572.
POTENS Halbleiter-MOSFET PDC394X.
MOSFET-Parameter
| Symbol | Parameter | Bewertung | Einheiten |
| VDS | Drain-Source-Spannung | 20 | V |
| VGS | Gate-Source-Spannung | ±12 | V |
| ID@TC=25℃ | Kontinuierlicher Abflussstrom1 | 90 | A |
| ID@TC=100℃ | Kontinuierlicher Abflussstrom1 | 48 | A |
| IDM | Gepulster Drainstrom2 | 270 | A |
| EAS | Einzelimpuls-Lawinenenergie3 | 80 | mJ |
| IAS | Lawinenstrom | 40 | A |
| PD@TC=25℃ | Gesamtverlustleistung4 | 83 | W |
| TSTG | Lagertemperaturbereich | -55 bis 150 | ℃ |
| TJ | Betriebstemperaturbereich der Verbindungsstelle | -55 bis 150 | ℃ |
| RθJA | Wärmewiderstandsübergang-Umgebung1(t≦10S) | 20 | ℃/W |
| RθJA | Wärmewiderstandsübergang-Umgebung1(Gleichgewichtszustand) | 55 | ℃/W |
| RθJC | Gehäuse mit thermischem Widerstandsanschluss1 | 1.5 | ℃/W |
| Symbol | Parameter | Bedingungen | Mindest | Typ | Max | Einheit |
| BVDSS | Drain-Source-Durchbruchspannung | VGS=0V, ID=250uA | 20 | 23 | --- | V |
| VGS(th) | Gate-Schwellenspannung | VGS=VDS, ID =250uA | 0,5 | 0,68 | 1,0 | V |
| RDS(EIN) | Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand2 | VGS=10V, ID=20A | --- | 1.6 | 2,0 | mΩ |
| RDS(EIN) | Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand2 | VGS=4,5V, ID=20A | 1.9 | 2.5 | mΩ | |
| RDS(EIN) | Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand2 | VGS=2,5V, ID=20A | --- | 2.8 | 3.8 | mΩ |
| IDSS | Drain-Source-Leckstrom | VDS=16V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=16V, VGS=0V, TJ=125℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Gate-Source-Leckstrom | VGS=±10V, VDS=0V | --- | --- | ±10 | uA |
| Rg | Torwiderstand | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.2 | --- | Ω |
| Qg | Gesamt-Gate-Ladung (10 V) | VDS=15V, VGS=10V, ID=20A | --- | 77 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source-Ladung | --- | 8.7 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain-Ladung | --- | 14 | --- | ||
| Td(on) | Einschaltverzögerungszeit | VDD=15V, VGS=10V, RG=3, ID=20A | --- | 10.2 | --- | ns |
| Tr | Aufstiegszeit | --- | 11.7 | --- | ||
| Td(aus) | Ausschaltverzögerungszeit | --- | 56.4 | --- | ||
| Tf | Abfallzeit | --- | 16.2 | --- | ||
| Ciss | Eingangskapazität | VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 4307 | --- | pF |
| Coss | Ausgangskapazität | --- | 501 | --- | ||
| Krss | Rückübertragungskapazität | --- | 321 | --- | ||
| IS | Kontinuierlicher Quellstrom1,5 | VG=VD=0V, Strom erzwingen | --- | --- | 50 | A |
| VSD | Diodendurchlassspannung2 | VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃ | --- | --- | 1.2 | V |
| trr | Reverse-Recovery-Zeit | IF=20A , di/dt=100A/µs , TJ=25℃ | --- | 22 | --- | nS |
| Qrr | Reverse Recovery Charge | --- | 72 | --- | nC |
