WSD3023DN56 N-Kanal und P-Kanal 30 V/-30 V 14 A/-12 A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET
Allgemeine Beschreibung
Der WSD3023DN56 ist der leistungsstärkste Trench-N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET mit extrem hoher Zelldichte, der für die meisten synchronen Abwärtswandleranwendungen eine hervorragende RDSON- und Gate-Ladung bietet. Der WSD3023DN56 erfüllt die RoHS- und Green-Product-Anforderungen mit 100 % EAS-Garantie und vollständiger Funktionszuverlässigkeit.
Merkmale
Fortschrittliche Trench-Technologie mit hoher Zelldichte, extrem niedrige Gate-Ladung, hervorragende Reduzierung des CdV/dt-Effekts, 100 % EAS-Garantie, umweltfreundliches Gerät verfügbar.
Anwendungen
Synchroner Hochfrequenz-Point-of-Load-Abwärtswandler für MB/NB/UMPC/VGA, Netzwerk-DC-DC-Stromversorgungssystem, CCFL-Hintergrundbeleuchtungswechselrichter, Drohnen, Motoren, Automobilelektronik, Großgeräte.
entsprechende Materialnummer
PANJIT PJQ5606
Wichtige Parameter
| Symbol | Parameter | Bewertung | Einheiten | |
| N-Ch | P-Ch | |||
| VDS | Drain-Source-Spannung | 30 | -30 | V |
| VGS | Gate-Source-Spannung | ±20 | ±20 | V |
| ID | Kontinuierlicher Drainstrom, VGS(NP)=10V, Ta=25℃ | 14* | -12 | A |
| Kontinuierlicher Drainstrom, VGS(NP)=10V, Ta=70℃ | 7.6 | -9,7 | A | |
| IDP a | Puls-Drain-Strom getestet, VGS(NP)=10V | 48 | -48 | A |
| EAS c | Lawinenenergie, Einzelimpuls, L=0,5mH | 20 | 20 | mJ |
| IAS c | Lawinenstrom, Einzelimpuls, L=0,5mH | 9 | -9 | A |
| PD | Gesamtverlustleistung, Ta=25℃ | 5.25 | 5.25 | W |
| TSTG | Lagertemperaturbereich | -55 bis 175 | -55 bis 175 | ℃ |
| TJ | Betriebstemperaturbereich der Verbindungsstelle | 175 | 175 | ℃ |
| RqJA b | Wärmewiderstandsübergang zur Umgebung, stationärer Zustand | 60 | 60 | ℃/W |
| RqJC | Wärmewiderstand-Verbindung zum Gehäuse, stationärer Zustand | 6.25 | 6.25 | ℃/W |
| Symbol | Parameter | Bedingungen | Min. | Typ. | Max. | Einheit |
| BVDSS | Drain-Source-Durchbruchspannung | VGS=0V, ID=250uA | 30 | --- | --- | V |
| RDS(EIN)d | Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand | VGS=10V, ID=8A | --- | 14 | 18.5 | mΩ |
| VGS=4,5V, ID=5A | --- | 17 | 25 | |||
| VGS(th) | Gate-Schwellenspannung | VGS=VDS, ID =250uA | 1.3 | 1.8 | 2.3 | V |
| IDSS | Drain-Source-Leckstrom | VDS=20V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=20V, VGS=0V, TJ=85℃ | --- | --- | 30 | |||
| IGSS | Gate-Source-Leckstrom | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Rg | Torwiderstand | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.7 | 3.4 | Ω |
| Qge | Gesamte Gate-Gebühr | VDS=15V, VGS=4,5V, IDS=8A | --- | 5.2 | --- | nC |
| Qgse | Gate-Source-Ladung | --- | 1,0 | --- | ||
| Qgde | Gate-Drain-Ladung | --- | 2.8 | --- | ||
| Td(on)e | Einschaltverzögerungszeit | VDD=15V,RL=15R, IDS=1A,VGEN=10V, RG=6R. | --- | 6 | --- | ns |
| Tre | Aufstiegszeit | --- | 8.6 | --- | ||
| Td(off)e | Ausschaltverzögerungszeit | --- | 16 | --- | ||
| Tfe | Herbstzeit | --- | 3.6 | --- | ||
| Cisse | Eingangskapazität | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 545 | --- | pF |
| Cosse | Ausgangskapazität | --- | 95 | --- | ||
| Crsse | Rückübertragungskapazität | --- | 55 | --- |
