WSD3023DN56 N-Kanal und P-Kanal 30 V/-30 V 14 A/-12 A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

kurze Beschreibung:

Modell-Nr:WSD3023DN56

BVDSS:30V/-30V

RDSON:14mΩ/23mΩ

AUSWEIS:14A/-12A

Kanal:N-Kanal und P-Kanal

Paket:DFN5*6-8

Produktübersicht:Die Spannung des WSD3023DN56 MOSFET beträgt 30 V/-30 V, der Strom beträgt 14 A/-12 A, der Widerstand beträgt 14 mΩ/23 mΩ, der Kanal ist N-Kanal und P-Kanal und das Gehäuse ist DFN5*6-8.

Anwendungen:Drohnen, Motoren, Automobilelektronik, Großgeräte.

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Produktdetail

Anwendung

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Allgemeine Beschreibung

Der WSD3023DN56 ist der leistungsstärkste Trench-N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET mit extrem hoher Zelldichte, der für die meisten synchronen Abwärtswandleranwendungen eine hervorragende RDSON- und Gate-Ladung bietet.Der WSD3023DN56 erfüllt die RoHS- und Green-Product-Anforderungen mit 100 % EAS-Garantie und vollständiger Funktionszuverlässigkeit.

Merkmale

Fortschrittliche Trench-Technologie mit hoher Zelldichte, extrem niedrige Gate-Ladung, hervorragende Reduzierung des CdV/dt-Effekts, 100 % EAS-Garantie, umweltfreundliches Gerät verfügbar.

Anwendungen

Synchroner Hochfrequenz-Point-of-Load-Abwärtswandler für MB/NB/UMPC/VGA, Netzwerk-DC-DC-Stromversorgungssystem, CCFL-Hintergrundbeleuchtungswechselrichter, Drohnen, Motoren, Automobilelektronik, Großgeräte.

entsprechende Materialnummer

PANJIT PJQ5606

Wichtige Parameter

Symbol	Parameter	Bewertung		Einheiten
Symbol	Parameter	N-Ch	P-Ch	Einheiten
VDS	Drain-Source-Spannung	30	-30	V
VGS	Gate-Source-Spannung	±20	±20	V
ID	Kontinuierlicher Drainstrom, VGS(NP)=10V, Ta=25℃	14*	-12	A
ID	Kontinuierlicher Drainstrom, VGS(NP)=10V, Ta=70℃	7.6	-9,7	A
IDP a	Puls-Drain-Strom getestet, VGS(NP)=10V	48	-48	A
EAS c	Lawinenenergie, Einzelimpuls, L=0,5mH	20	20	mJ
IAS c	Lawinenstrom, Einzelimpuls, L=0,5mH	9	-9	A
PD	Gesamtverlustleistung, Ta=25℃	5.25	5.25	W
TSTG	Lagertemperaturbereich	-55 bis 175	-55 bis 175	℃
TJ	Betriebstemperaturbereich der Verbindungsstelle	175	175	℃
RqJA b	Wärmewiderstandsübergang zur Umgebung, stationärer Zustand	60	60	℃/W
RqJC	Wärmewiderstandsverbindung zum Gehäuse, stationärer Zustand	6.25	6.25	℃/W

Symbol	Parameter	Bedingungen	Mindest.	Typ.	Max.	Einheit
BVDSS	Drain-Source-Durchbruchspannung	VGS=0V, ID=250uA	30	---	---	V
RDS(EIN)d	Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand	VGS=10V, ID=8A	---	14	18.5	mΩ
RDS(EIN)d	Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand	VGS=4,5V, ID=5A	---	17	25	mΩ
VGS(th)	Gate-Schwellenspannung	VGS=VDS, ID =250uA	1.3	1.8	2.3	V
IDSS	Drain-Source-Leckstrom	VDS=20V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Drain-Source-Leckstrom	VDS=20V, VGS=0V, TJ=85℃	---	---	30	uA
IGSS	Gate-Source-Leckstrom	VGS=±20V, VDS=0V	---	---	±100	nA
Rg	Torwiderstand	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	1.7	3.4	Ω
Qge	Gesamte Gate-Gebühr	VDS=15V, VGS=4,5V, IDS=8A	---	5.2	---	nC
Qgse	Gate-Source-Ladung		---	1,0	---
Qgde	Gate-Drain-Ladung		---	2.8	---
Td(on)e	Einschaltverzögerungszeit	VDD=15V,RL=15R, IDS=1A,VGEN=10V, RG=6R.	---	6	---	ns
Tre	Aufstiegszeit		---	8.6	---
Td(off)e	Ausschaltverzögerungszeit		---	16	---
Tfe	Abfallzeit		---	3.6	---
Cisse	Eingangskapazität	VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz	---	545	---	pF
Cosse	Ausgangskapazität		---	95	---
Crsse	Rückübertragungskapazität		---	55	---