WSD30160DN56 N-Kanal 30V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET-Produktübersicht
Die Spannung des WSD30160DN56 MOSFET beträgt 30 V, der Strom beträgt 120 A, der Widerstand beträgt 1,9 mΩ, der Kanal ist ein N-Kanal und das Gehäuse ist DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET-Anwendungsbereiche
MOSFET für E-Zigaretten, MOSFET für kabelloses Laden, MOSFET für Drohnen, MOSFET für medizinische Versorgung, MOSFET für Autoladegeräte, MOSFET für Controller, MOSFET für digitale Produkte, MOSFET für kleine Haushaltsgeräte, MOSFET für Unterhaltungselektronik.
WINSOK MOSFET entspricht anderen Markenmaterialnummern
AOS MOSFET AON6382, AON6384, AON644A, AON6548.
Onsemi, FAIRCHILD MOSFET NTMFS4834N, NTMFS4C5N.
TOSHIBA MOSFET TPH2R93PL.
PANJIT MOSFET PJQ5426.
NIKO-SEM MOSFET PKE1BB.
POTENS Halbleiter-MOSFET PDC392X.
MOSFET-Parameter
| Symbol | Parameter | Bewertung | Einheiten |
| VDS | Drain-Source-Spannung | 30 | V |
| VGS | Tor-SourCE-Spannung | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Kontinuierlicher Drainstrom, VGS@ 10V1,7 | 120 | A |
| ID@TC=100℃ | Kontinuierlicher Drainstrom, VGS@ 10V1,7 | 68 | A |
| IDM | Gepulster Drainstrom2 | 300 | A |
| EAS | Einzelimpuls-Lawinenenergie3 | 128 | mJ |
| IAS | Lawinenstrom | 50 | A |
| PD@TC=25℃ | Gesamtverlustleistung4 | 62,5 | W |
| TSTG | Lagertemperaturbereich | -55 bis 150 | ℃ |
| TJ | Betriebstemperaturbereich der Verbindungsstelle | -55 bis 150 | ℃ |
| Symbol | Parameter | Bedingungen | Mindest. | Typ. | Max. | Einheit |
| BVDSS | Drain-Source-Durchbruchspannung | VGS=0V , ID=250uA | 30 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSTemperaturkoeffizient | Verweis auf 25℃, ICHD=1mA | --- | 0,02 | --- | V/℃ |
| RDS(EIN) | Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand2 | VGS=10V , ID=20A | --- | 1.9 | 2.5 | mΩ |
| VGS=4,5V, ID=15A | --- | 2.9 | 3.5 | |||
| VGS(th) | Gate-Schwellenspannung | VGS=VDS, ICHD=250uA | 1.2 | 1.7 | 2.5 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Temperaturkoeffizient | --- | -6.1 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source-Leckstrom | VDS=24V , VGS=0V , TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=24V , VGS=0V , TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Gate-Source-Leckstrom | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Vorwärtstranskonduktanz | VDS=5V , ID=10A | --- | 32 | --- | S |
| Rg | Torwiderstand | VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz | --- | 0,8 | 1.5 | Ω |
| Qg | Gesamt-Gate-Ladung (4,5 V) | VDS=15V , VGS=4,5V, ID=20A | --- | 38 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source-Ladung | --- | 10 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain-Ladung | --- | 13 | --- | ||
| Td(on) | Einschaltverzögerungszeit | VDD=15V , VGEN=10V , RG=6Ω, ICHD=1A, RL=15Ω. | --- | 25 | --- | ns |
| Tr | Aufstiegszeit | --- | 23 | --- | ||
| Td(aus) | Ausschaltverzögerungszeit | --- | 95 | --- | ||
| Tf | Abfallzeit | --- | 40 | --- | ||
| Ciss | Eingangskapazität | VDS=15V , VGS=0V , f=1MHz | --- | 4900 | --- | pF |
| Coss | Ausgangskapazität | --- | 1180 | --- | ||
| CRSS | Rückübertragungskapazität | --- | 530 | --- |
