WSD30150ADN56 N-Kanal 30V 145A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET-Produktübersicht
Die Spannung des WSD30150DN56 MOSFET beträgt 30 V, der Strom beträgt 150 A, der Widerstand beträgt 1,8 mΩ, der Kanal ist ein N-Kanal und das Gehäuse ist DFN5X6-8.
Anwendungsbereiche von WINSOK MOSFETs
E-Zigaretten-MOSFET, drahtloses Laden-MOSFET, Drohnen-MOSFET, medizinische Versorgungs-MOSFET, Autoladegerät-MOSFET, Controller-MOSFET, digitale Produkte-MOSFET, kleine Haushaltsgeräte-MOSFET, Unterhaltungselektronik-MOSFET.
WINSOK MOSFET entspricht anderen Markenmaterialnummern
AOS MOSFET AON6512, AONS3234.
Onsemi, FAIRCHILD MOSFET FDMC81DCCM.
NXP MOSFET PSMN1R7-3YL.
TOSHIBA MOSFET TPH1R43NL.
PANJIT MOSFET PJQ5428.
NIKO-SEM MOSFET PKC26BB, PKE24BB.
POTENS Halbleiter-MOSFET PDC392X.
MOSFET-Parameter
| Symbol | Parameter | Bewertung | Einheiten |
| VDS | Drain-Source-Spannung | 30 | V |
| VGS | Tor-SourCE-Spannung | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Kontinuierlicher Drainstrom, VGS@ 10V1,7 | 150 | A |
| ID@TC=100℃ | Kontinuierlicher Drainstrom, VGS@ 10V1,7 | 83 | A |
| IDM | Gepulster Drainstrom2 | 200 | A |
| EAS | Einzelimpuls-Lawinenenergie3 | 125 | mJ |
| IAS | Lawinenstrom | 50 | A |
| PD@TC=25℃ | Gesamtverlustleistung4 | 62,5 | W |
| TSTG | Lagertemperaturbereich | -55 bis 150 | ℃ |
| TJ | Betriebstemperaturbereich der Verbindungsstelle | -55 bis 150 | ℃ |
| Symbol | Parameter | Bedingungen | Min. | Typ. | Max. | Einheit |
| BVDSS | Drain-Source-Durchbruchspannung | VGS=0V , ID=250uA | 30 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSTemperaturkoeffizient | Verweis auf 25℃, ICHD=1mA | --- | 0,02 | --- | V/℃ |
| RDS(EIN) | Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand2 | VGS=10V , ID=20A | --- | 1.8 | 2.4 | mΩ |
| VGS=4,5V, ID=15A | 2.4 | 3.2 | ||||
| VGS(th) | Gate-Schwellenspannung | VGS=VDS, ICHD=250uA | 1.4 | 1.7 | 2.5 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Temperaturkoeffizient | --- | -6.1 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source-Leckstrom | VDS=24V , VGS=0V , TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=24V , VGS=0V , TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Gate-Source-Leckstrom | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Vorwärtstranskonduktanz | VDS=5V , ID=10A | --- | 27 | --- | S |
| Rg | Torwiderstand | VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz | --- | 0,8 | 1.5 | Ω |
| Qg | Gesamt-Gate-Ladung (4,5 V) | VDS=15V , VGS=4,5V, ID=30A | --- | 26 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source-Ladung | --- | 9.5 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain-Ladung | --- | 11.4 | --- | ||
| Td(on) | Einschaltverzögerungszeit | VDD=15V , VGEN=10V , RG=6Ω, ICHD=1A, RL=15Ω. | --- | 20 | --- | ns |
| Tr | Aufstiegszeit | --- | 12 | --- | ||
| Td(aus) | Ausschaltverzögerungszeit | --- | 69 | --- | ||
| Tf | Herbstzeit | --- | 29 | --- | ||
| Ciss | Eingangskapazität | VDS=15V , VGS=0V , f=1MHz | 2560 | 3200 | 3850 | pF |
| Coss | Ausgangskapazität | 560 | 680 | 800 | ||
| CRSS | Rückübertragungskapazität | 260 | 320 | 420 |
