WSD30140DN56 N-Kanal 30V 85A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET
Allgemeine Beschreibung
Der WSD30140DN56 ist der leistungsstärkste Trench-N-Kanal-MOSFET mit sehr hoher Zelldichte, der eine hervorragende RDSON und Gate-Ladung für die meisten synchronen Abwärtswandleranwendungen bietet.WSD30140DN56 entspricht den RoHS- und Green-Product-Anforderungen, 100 % EAS-Garantie, volle Funktionszuverlässigkeit geprüft.
Merkmale
Fortschrittliche Trench-Technologie mit hoher Zelldichte, extrem niedrige Gate-Ladung, hervorragende Dämpfung des CdV/dt-Effekts, 100 % EAS-Garantie, umweltfreundliche Geräte verfügbar
Anwendungen
Hochfrequente Point-of-Load-Synchronisation, Abwärtswandler, vernetzte DC-DC-Stromversorgungssysteme, Elektrowerkzeuganwendungen, elektronische Zigaretten, kabelloses Laden, Drohnen, medizinische Versorgung, Autoladen, Controller, digitale Produkte, Kleingeräte, Unterhaltungselektronik
entsprechende Materialnummer
AO AON6312, AON6358, AON6360, AON6734, AON6792, AONS36314.AUF NTMFS4847N.VISHAY SiRA62DP.ST STL86N3LLH6AG.INFINEON BSC050N03MSG.TI CSD17327Q5A, CSD17327Q5A, CSD17307Q5A.NXP PH2520U.TOSHIBA TPH4R803PL TPH3R203NL.ROHM RS1E281BN, RS1E280BN, RS1E280GN, RS1E301GN, RS1E321GN, RS1E350BN, RS1E350GN.PANJIT PJQ5410.AP AP3D5R0MT.NIKO PK610SA, PK510BA.POTENS PDC3803R
Wichtige Parameter
| Symbol | Parameter | Bewertung | Einheiten |
| VDS | Drain-Source-Spannung | 30 | V |
| VGS | Gate-Source-Spannung | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Dauerstrom, VGS bei 10V1,7 | 85 | A |
| ID@TC=70℃ | Dauerstrom, VGS bei 10V1,7 | 65 | A |
| IDM | Gepulster Drainstrom2 | 300 | A |
| PD@TC=25℃ | Gesamtverlustleistung4 | 50 | W |
| TSTG | Lagertemperaturbereich | -55 bis 150 | ℃ |
| TJ | Betriebstemperaturbereich der Verbindungsstelle | -55 bis 150 | ℃ |
| Symbol | Parameter | Bedingungen | Mindest. | Typ. | Max. | Einheit |
| BVDSS | Drain-Source-Durchbruchspannung | VGS=0V, ID=250uA | 30 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS-Temperaturkoeffizient | Bezug auf 25℃, ID=1mA | --- | 0,02 | --- | V/℃ |
| RDS(EIN) | Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand2 | VGS=10V, ID=20A | --- | 1.7 | 2.4 | mΩ |
| VGS=4,5V, ID=15A | 2.5 | 3.3 | ||||
| VGS(th) | Gate-Schwellenspannung | VGS=VDS, ID =250uA | 1.2 | 1.7 | 2.5 | V |
| Drain-Source-Leckstrom | VDS=24V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA | |
| IDSS | VDS=24V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | ||
| IGSS | Gate-Source-Leckstrom | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Vorwärtstranskonduktanz | VDS=5V, ID=20A | --- | 90 | --- | S |
| Qg | Gesamt-Gate-Ladung (4,5 V) | VDS=15V, VGS=4,5V, ID=20A | --- | 26 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source-Ladung | --- | 9.5 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain-Ladung | --- | 11.4 | --- | ||
| Td(on) | Einschaltverzögerungszeit | VDD=15V, VGEN=10V, RG=3Ω, RL=0,75Ω. | --- | 11 | --- | ns |
| Tr | Aufstiegszeit | --- | 6 | --- | ||
| Td(aus) | Ausschaltverzögerungszeit | --- | 38,5 | --- | ||
| Tf | Abfallzeit | --- | 10 | --- | ||
| Ciss | Eingangskapazität | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 3000 | --- | pF |
| Coss | Ausgangskapazität | --- | 1280 | --- | ||
| Krss | Rückübertragungskapazität | --- | 160 | --- |
