WSD25280DN56G N-Kanal 25V 280A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET-Produktübersicht
Die Spannung des WSD25280DN56G MOSFET beträgt 25 V, der Strom beträgt 280 A, der Widerstand beträgt 0,7 mΩ, der Kanal ist ein N-Kanal und das Gehäuse ist DFN5X6-8.
Anwendungsbereiche von WINSOK MOSFETs
Hochfrequenz-Point-of-Load-Synchron、Buck-Konverter、Vernetzendes DC-DC-Stromversorgungssystem、Anwendung für Elektrowerkzeuge, MOSFET für E-Zigaretten, MOSFET für kabelloses Laden, MOSFET für Drohnen, MOSFET für medizinische Versorgung, MOSFET für Autoladegeräte, MOSFET für Controller, MOSFET für digitale Produkte, MOSFET für kleine Haushaltsgeräte, MOSFET für Unterhaltungselektronik.
WINSOK MOSFET entspricht anderen Markenmaterialnummern
Nxperian MOSFET PSMN1R-4ULD.
POTENS Halbleiter-MOSFET PDC262X.
MOSFET-Parameter
| Symbol | Parameter | Bewertung | Einheiten |
| VDS | Drain-Source-Spannung | 25 | V |
| VGS | Tor-SourCE-Spannung | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Kontinuierlicher Abflussstrom（Silicon Limited）1,7 | 280 | A |
| ID@TC=70℃ | Kontinuierlicher Abflussstrom (Silicon Limited）1,7 | 190 | A |
| IDM | Gepulster Drainstrom2 | 600 | A |
| EAS | Einzelimpuls-Lawinenenergie3 | 1200 | mJ |
| IAS | Lawinenstrom | 100 | A |
| PD@TC=25℃ | Gesamtverlustleistung4 | 83 | W |
| TSTG | Lagertemperaturbereich | -55 bis 150 | ℃ |
| TJ | Betriebstemperaturbereich der Verbindungsstelle | -55 bis 150 | ℃ |
| Symbol | Parameter | Bedingungen | Min. | Typ. | Max. | Einheit |
| BVDSS | Drain-Source-Durchbruchspannung | VGS=0V , ID=250uA | 25 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSTemperaturkoeffizient | Verweis auf 25℃, ICHD=1mA | --- | 0,022 | --- | V/℃ |
| RDS(EIN) | Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand2 | VGS=10V , ID=20A | --- | 0,7 | 0,9 | mΩ |
| VGS=4,5V, ID=20A | --- | 1.4 | 1.9 | |||
| VGS(th) | Gate-Schwellenspannung | VGS=VDS, ICHD=250uA | 1,0 | --- | 2.5 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Temperaturkoeffizient | --- | -6.1 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source-Leckstrom | VDS=20V , VGS=0V , TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=20V , VGS=0V , TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Gate-Source-Leckstrom | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Vorwärtstranskonduktanz | VDS=5V , ID=10A | --- | 40 | --- | S |
| Rg | Torwiderstand | VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz | --- | 3.8 | 1.5 | Ω |
| Qg | Gesamt-Gate-Ladung (4,5 V) | VDS=15V , VGS=4,5V, ID=20A | --- | 72 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source-Ladung | --- | 18 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain-Ladung | --- | 24 | --- | ||
| Td(on) | Einschaltverzögerungszeit | VDD=15V , VGEN=10V ,RG=1Ω, ICHD=10A | --- | 33 | --- | ns |
| Tr | Aufstiegszeit | --- | 55 | --- | ||
| Td(aus) | Ausschaltverzögerungszeit | --- | 62 | --- | ||
| Tf | Herbstzeit | --- | 22 | --- | ||
| Ciss | Eingangskapazität | VDS=15V , VGS=0V , f=1MHz | --- | 7752 | --- | pF |
| Coss | Ausgangskapazität | --- | 1120 | --- | ||
| CRSS | Rückübertragungskapazität | --- | 650 | --- |
