WSD20L120DN56 P-Kanal -20V -120A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET
Allgemeine Beschreibung
Der WSD20L120DN56 ist ein leistungsstarker P-Ch-MOSFET mit einer Zellenstruktur mit hoher Dichte, der hervorragende RDSON- und Gate-Ladung für die meisten synchronen Abwärtswandleranwendungen bietet.Der WSD20L120DN56 erfüllt zu 100 % die EAS-Anforderungen für RoHS und umweltfreundliche Produkte und verfügt über eine Zulassung zur vollständigen Funktionszuverlässigkeit.
Merkmale
1, Fortschrittliche Trench-Technologie mit hoher Zelldichte
2, Super Low Gate Charge
3, Hervorragender Rückgang des CdV/dt-Effekts
4, 100 % EAS-Garantie 5, Grünes Gerät verfügbar
Anwendungen
Synchroner Hochfrequenz-Point-of-Load-Abwärtswandler für MB/NB/UMPC/VGA, Netzwerk-DC-DC-Stromversorgungssystem, Lastschalter, E-Zigarette, kabelloses Ladegerät, Motoren, Drohnen, Medizin, Autoladegerät, Controller, digitale Produkte, Kleine Haushaltsgeräte, Unterhaltungselektronik.
entsprechende Materialnummer
AOS AON6411,NIKO PK5A7BA
Wichtige Parameter
| Symbol | Parameter | Bewertung | Einheiten | |
| 10s | Gleichgewichtszustand | |||
| VDS | Drain-Source-Spannung | -20 | V | |
| VGS | Gate-Source-Spannung | ±10 | V | |
| ID@TC=25℃ | Kontinuierlicher Entladestrom, VGS bei -10 V1 | -120 | A | |
| ID@TC=100℃ | Kontinuierlicher Entladestrom, VGS bei -10 V1 | -69,5 | A | |
| ID@TA=25℃ | Kontinuierlicher Entladestrom, VGS bei -10 V1 | -25 | -22 | A |
| ID@TA=70℃ | Kontinuierlicher Entladestrom, VGS bei -10 V1 | -24 | -18 | A |
| IDM | Gepulster Drainstrom2 | -340 | A | |
| EAS | Einzelimpuls-Lawinenenergie3 | 300 | mJ | |
| IAS | Lawinenstrom | -36 | A | |
| PD@TC=25℃ | Gesamtverlustleistung4 | 130 | W | |
| PD@TA=25℃ | Gesamtverlustleistung4 | 6.8 | 6.25 | W |
| TSTG | Lagertemperaturbereich | -55 bis 150 | ℃ | |
| TJ | Betriebstemperaturbereich der Verbindungsstelle | -55 bis 150 | ℃ | |
| Symbol | Parameter | Bedingungen | Mindest. | Typ. | Max. | Einheit |
| BVDSS | Drain-Source-Durchbruchspannung | VGS=0V, ID=-250uA | -20 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS-Temperaturkoeffizient | Bezug auf 25℃, ID=-1mA | --- | -0,0212 | --- | V/℃ |
| RDS(EIN) | Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand2 | VGS=-4,5V, ID=-20A | --- | 2.1 | 2.7 | mΩ |
| VGS=-2,5V, ID=-20A | --- | 2.8 | 3.7 | |||
| VGS(th) | Gate-Schwellenspannung | VGS=VDS, ID =-250uA | -0,4 | -0,6 | -1,0 | V |
| △VGS(th) | VGS(th) Temperaturkoeffizient | --- | 4.8 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source-Leckstrom | VDS=-20V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | -1 | uA |
| VDS=-20V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | -6 | |||
| IGSS | Gate-Source-Leckstrom | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Vorwärtstranskonduktanz | VDS=-5V, ID=-20A | --- | 100 | --- | S |
| Rg | Torwiderstand | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 2 | 5 | Ω |
| Qg | Gesamte Gate-Ladung (-4,5 V) | VDS=-10V, VGS=-4,5V, ID=-20A | --- | 100 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source-Ladung | --- | 21 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain-Ladung | --- | 32 | --- | ||
| Td(on) | Einschaltverzögerungszeit | VDD=-10V, VGEN=-4,5V, RG=3Ω ID=-1A ,RL=0,5Ω | --- | 20 | --- | ns |
| Tr | Aufstiegszeit | --- | 50 | --- | ||
| Td(aus) | Ausschaltverzögerungszeit | --- | 100 | --- | ||
| Tf | Abfallzeit | --- | 40 | --- | ||
| Ciss | Eingangskapazität | VDS=-10V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 4950 | --- | pF |
| Coss | Ausgangskapazität | --- | 380 | --- | ||
| Krss | Rückübertragungskapazität | --- | 290 | --- |
