WSD20L120DN56 P-Kanal -20V -120A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

Kurzbeschreibung:

Modellnummer:WSD20L120DN56

BVDSS:-20V

RDSON:2,1 mΩ

AUSWEIS:-120A

Kanal:P-Kanal

Paket:DFN5*6-8

Produktübersicht:Der MOSFET WSD20L120DN56 arbeitet mit -20 Volt und zieht einen Strom von -120 Ampere. Es hat einen Widerstand von 2,1 Milliohm, einen P-Kanal und wird in einem DFN5*6-8-Gehäuse geliefert.

Anwendungen:E-Zigaretten, kabellose Ladegeräte, Motoren, Drohnen, medizinische Geräte, Autoladegeräte, Controller, digitale Geräte, Kleingeräte und Unterhaltungselektronik.

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Produktdetails

Anwendung

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Allgemeine Beschreibung

Der WSD20L120DN56 ist ein leistungsstarker P-Ch-MOSFET mit einer Zellenstruktur mit hoher Dichte, der hervorragende RDSON- und Gate-Ladung für die meisten synchronen Abwärtswandleranwendungen bietet. Der WSD20L120DN56 erfüllt zu 100 % die EAS-Anforderungen für RoHS und umweltfreundliche Produkte und verfügt über eine vollständige Funktionszuverlässigkeitszulassung.

Merkmale

1, Fortschrittliche Trench-Technologie mit hoher Zelldichte
2, Super Low Gate Charge
3, Hervorragender Rückgang des CdV/dt-Effekts
4, 100 % EAS-Garantie 5, Grünes Gerät verfügbar

Anwendungen

Synchroner Hochfrequenz-Point-of-Load-Abwärtswandler für MB/NB/UMPC/VGA, Netzwerk-DC-DC-Stromversorgungssystem, Lastschalter, E-Zigarette, kabelloses Ladegerät, Motoren, Drohnen, Medizin, Autoladegerät, Controller, digitale Produkte, Kleine Haushaltsgeräte, Unterhaltungselektronik.

entsprechende Materialnummer

AOS AON6411,NIKO PK5A7BA

Wichtige Parameter

Symbol	Parameter	Bewertung		Einheiten
Symbol	Parameter	10s	Gleichgewichtszustand	Einheiten
VDS	Drain-Source-Spannung	-20		V
VGS	Gate-Source-Spannung	±10		V
ID@TC=25℃	Kontinuierlicher Entladestrom, VGS bei -10 V1	-120		A
ID@TC=100℃	Kontinuierlicher Entladestrom, VGS bei -10 V1	-69,5		A
ID@TA=25℃	Kontinuierlicher Entladestrom, VGS bei -10 V1	-25	-22	A
ID@TA=70℃	Kontinuierlicher Entladestrom, VGS bei -10 V1	-24	-18	A
IDM	Gepulster Drainstrom2	-340		A
EAS	Einzelimpuls-Lawinenenergie3	300		mJ
IAS	Lawinenstrom	-36		A
PD@TC=25℃	Gesamtverlustleistung4	130		W
PD@TA=25℃	Gesamtverlustleistung4	6.8	6.25	W
TSTG	Lagertemperaturbereich	-55 bis 150		℃
TJ	Betriebstemperaturbereich der Verbindungsstelle	-55 bis 150		℃

Symbol	Parameter	Bedingungen	Min.	Typ.	Max.	Einheit
BVDSS	Drain-Source-Durchbruchspannung	VGS=0V, ID=-250uA	-20	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS-Temperaturkoeffizient	Bezug auf 25℃, ID=-1mA	---	-0,0212	---	V/℃
RDS(EIN)	Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand2	VGS=-4,5V, ID=-20A	---	2.1	2.7	mΩ
RDS(EIN)	Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand2					mΩ
		VGS=-2,5V, ID=-20A	---	2.8	3.7
VGS(th)	Gate-Schwellenspannung	VGS=VDS, ID =-250uA	-0,4	-0,6	-1,0	V
		VGS=VDS, ID =-250uA
△VGS(th)	VGS(th) Temperaturkoeffizient		---	4.8	---	mV/℃
IDSS	Drain-Source-Leckstrom	VDS=-20V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	-1	uA
IDSS	Drain-Source-Leckstrom					uA
		VDS=-20V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	-6
IGSS	Gate-Source-Leckstrom	VGS=±20V, VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Vorwärtstranskonduktanz	VDS=-5V, ID=-20A	---	100	---	S
Rg	Torwiderstand	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	2	5	Ω
Qg	Gesamte Gate-Ladung (-4,5 V)	VDS=-10V, VGS=-4,5V, ID=-20A	---	100	---	nC
Qgs	Gate-Source-Ladung		---	21	---
Qgd	Gate-Drain-Ladung		---	32	---
Td(on)	Einschaltverzögerungszeit	VDD=-10V, VGEN=-4,5V, RG=3Ω ID=-1A ,RL=0,5Ω	---	20	---	ns
Tr	Aufstiegszeit		---	50	---
Td(aus)	Ausschaltverzögerungszeit		---	100	---
Tf	Herbstzeit		---	40	---
Ciss	Eingangskapazität	VDS=-10V, VGS=0V, f=1MHz	---	4950	---	pF
Coss	Ausgangskapazität		---	380	---
Krss	Rückübertragungskapazität		---	290	---