WSD2090DN56 N-Kanal 20V 80A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

kurze Beschreibung:

Modell-Nr:WSD2090DN56

BVDSS:20V

RDSON:2,8 mΩ

AUSWEIS:80A

Kanal:N-Kanal

Paket:DFN5*6-8

Produktübersicht:Die Spannung des WSD2090DN56 MOSFET beträgt 20 V, der Strom beträgt 80 A, der Widerstand beträgt 2,8 mΩ, der Kanal ist N-Kanal und das Gehäuse ist DFN5*6-8.

Anwendungen:Elektronische Zigaretten, Drohnen, Elektrowerkzeuge, Blendenpistolen, PD, kleine Haushaltsgeräte usw.

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Produktdetail

Anwendung

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Allgemeine Beschreibung

Der WSD2090DN56 ist der leistungsstärkste Trench-N-Ch-MOSFET mit extrem hoher Zelldichte, der für die meisten synchronen Abwärtswandleranwendungen hervorragende RDSON- und Gate-Ladung bietet.Der WSD2090DN56 erfüllt die RoHS- und Green-Product-Anforderungen mit 100 % EAS-Garantie und zugelassener voller Funktionszuverlässigkeit.

Merkmale

Fortschrittliche Trench-Technologie mit hoher Zelldichte, extrem niedrige Gate-Ladung, hervorragende Reduzierung des CdV/dt-Effekts, 100 % EAS-Garantie, umweltfreundliches Gerät verfügbar

Anwendungen

Schalter, Stromversorgungssystem, Lastschalter, elektronische Zigaretten, Drohnen, Elektrowerkzeuge, Blendenpistolen, PD, kleine Haushaltsgeräte usw.

entsprechende Materialnummer

AOS AON6572

Wichtige Parameter

Absolute Maximalwerte (TC=25℃sofern nicht anders angegeben)

Symbol	Parameter	Max.	Einheiten
VDSS	Drain-Source-Spannung	20	V
VGSS	Gate-Source-Spannung	±12	V
ID@TC=25℃	Kontinuierlicher Entladestrom, VGS bei 10 V1	80	A
ID@TC=100℃	Kontinuierlicher Entladestrom, VGS bei 10 V1	59	A
IDM	Anmerkung 1 zum gepulsten Abflussstrom	360	A
EAS	Anmerkung2: Einzelimpuls-Lawinenenergie	110	mJ
PD	Energieverschwendung	81	W
RθJA	Wärmewiderstand, Verbindung zum Gehäuse	65	℃/W
RθJC	Wärmewiderstands-Verbindungsgehäuse 1	4	℃/W
TJ, TSTG	Betriebs- und Lagertemperaturbereich	-55 bis +175	℃

Elektrische Eigenschaften (TJ=25 ℃, sofern nicht anders angegeben)

Symbol	Parameter	Bedingungen	Mindest	Typ	Max	Einheiten
BVDSS	Drain-Source-Durchbruchspannung	VGS=0V, ID=250μA	20	24	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS-Temperaturkoeffizient	Bezug auf 25℃, ID=1mA	---	0,018	---	V/℃
VGS(th)	Gate-Schwellenspannung	VDS= VGS, ID=250μA	0,50	0,65	1,0	V
RDS(EIN)	Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand	VGS=4,5V, ID=30A	---	2.8	4,0	mΩ
RDS(EIN)	Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand	VGS=2,5V, ID=20A	---	4,0	6,0	mΩ
IDSS	Null-Gate-Spannungs-Drainstrom	VDS=20V,VGS=0V	---	---	1	μA
IGSS	Gate-Body-Leckstrom	VGS=±10V, VDS=0V	---	---	±100	nA
Ciss	Eingangskapazität	VDS=10V,VGS=0V,f=1MHZ	---	3200	---	pF
Coss	Ausgangskapazität		---	460	---
Krss	Rückübertragungskapazität		---	446	---
Qg	Gesamte Gate-Gebühr	VGS=4,5V,VDS=10V,ID=30A	---	11.05	---	nC
Qgs	Gate-Source-Ladung		---	1,73	---
Qgd	Gate-Drain-Ladung		---	3.1	---
tD(on)	Einschaltverzögerungszeit	VGS=4,5 V, VDS=10 V, ID=30ARGEN=1,8 Ω	---	9.7	---	ns
tr	Einschaltanstiegszeit		---	37	---
tD(aus)	Ausschaltverzögerungszeit		---	63	---
tf	Abschalt-Abfallzeit		---	52	---
VSD	Diodendurchlassspannung	IS=7,6A,VGS=0V	---	---	1.2	V