WSD2090DN56 N-Kanal 20V 80A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET
Allgemeine Beschreibung
Der WSD2090DN56 ist der leistungsstärkste Trench-N-Ch-MOSFET mit extrem hoher Zelldichte, der für die meisten synchronen Abwärtswandleranwendungen hervorragende RDSON- und Gate-Ladung bietet. Der WSD2090DN56 erfüllt die RoHS- und Green-Product-Anforderungen mit 100 % EAS-Garantie und zugelassener voller Funktionszuverlässigkeit.
Merkmale
Fortschrittliche Trench-Technologie mit hoher Zelldichte, extrem niedrige Gate-Ladung, hervorragende Reduzierung des CdV/dt-Effekts, 100 % EAS-Garantie, umweltfreundliches Gerät verfügbar
Anwendungen
Schalter, Stromversorgungssystem, Lastschalter, elektronische Zigaretten, Drohnen, Elektrowerkzeuge, Blendenpistolen, PD, kleine Haushaltsgeräte usw.
entsprechende Materialnummer
AOS AON6572
Wichtige Parameter
Absolute Maximalwerte (TC=25℃sofern nicht anders angegeben)
| Symbol | Parameter | Max. | Einheiten |
| VDSS | Drain-Source-Spannung | 20 | V |
| VGSS | Gate-Source-Spannung | ±12 | V |
| ID@TC=25℃ | Kontinuierlicher Entladestrom, VGS bei 10 V1 | 80 | A |
| ID@TC=100℃ | Kontinuierlicher Entladestrom, VGS bei 10 V1 | 59 | A |
| IDM | Anmerkung 1 zum gepulsten Abflussstrom | 360 | A |
| EAS | Anmerkung2: Einzelimpuls-Lawinenenergie | 110 | mJ |
| PD | Verlustleistung | 81 | W |
| RθJA | Wärmewiderstand, Verbindung zum Gehäuse | 65 | ℃/W |
| RθJC | Wärmewiderstands-Verbindungsgehäuse 1 | 4 | ℃/W |
| TJ, TSTG | Betriebs- und Lagertemperaturbereich | -55 bis +175 | ℃ |
Elektrische Eigenschaften (TJ=25 ℃, sofern nicht anders angegeben)
| Symbol | Parameter | Bedingungen | Min | Typ | Max | Einheiten |
| BVDSS | Drain-Source-Durchbruchspannung | VGS=0V, ID=250μA | 20 | 24 | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS-Temperaturkoeffizient | Bezug auf 25℃, ID=1mA | --- | 0,018 | --- | V/℃ |
| VGS(th) | Gate-Schwellenspannung | VDS= VGS, ID=250μA | 0,50 | 0,65 | 1,0 | V |
| RDS(EIN) | Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand | VGS=4,5V, ID=30A | --- | 2.8 | 4,0 | mΩ |
| RDS(EIN) | Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand | VGS=2,5V, ID=20A | --- | 4,0 | 6,0 | |
| IDSS | Null-Gate-Spannungs-Drainstrom | VDS=20V,VGS=0V | --- | --- | 1 | μA |
| IGSS | Gate-Body-Leckstrom | VGS=±10V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Ciss | Eingangskapazität | VDS=10V,VGS=0V,f=1MHZ | --- | 3200 | --- | pF |
| Coss | Ausgangskapazität | --- | 460 | --- | ||
| Krss | Rückübertragungskapazität | --- | 446 | --- | ||
| Qg | Gesamte Gate-Gebühr | VGS=4,5V,VDS=10V,ID=30A | --- | 11.05 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source-Ladung | --- | 1,73 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain-Ladung | --- | 3.1 | --- | ||
| tD(on) | Einschaltverzögerungszeit | VGS=4,5 V, VDS=10 V, ID=30ARGEN=1,8 Ω | --- | 9.7 | --- | ns |
| tr | Einschaltanstiegszeit | --- | 37 | --- | ||
| tD(aus) | Ausschaltverzögerungszeit | --- | 63 | --- | ||
| tf | Abschalt-Abfallzeit | --- | 52 | --- | ||
| VSD | Diodendurchlassspannung | IS=7,6A,VGS=0V | --- | --- | 1.2 | V |
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