WSD100N15DN56G N-Kanal 150 V 100 A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

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WSD100N15DN56G N-Kanal 150 V 100 A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

kurze Beschreibung:

Artikelnummer:WSD100N15DN56G

BVDSS:150V

AUSWEIS:100A

RDSON:6mΩ

Kanal:N-Kanal

Paket:DFN5X6-8


Produktdetail

Anwendung

Produkt Tags

WINSOK MOSFET-Produktübersicht

Die Spannung des WSD100N15DN56G MOSFET beträgt 150 V, der Strom beträgt 100 A, der Widerstand beträgt 6 mΩ, der Kanal ist N-Kanal und das Gehäuse ist DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET-Anwendungsbereiche

MOSFETs für medizinische Stromversorgungen, MOSFETs für PDs, MOSFETs für Drohnen, MOSFETs für elektronische Zigaretten, MOSFETs für Großgeräte und MOSFETs für Elektrowerkzeuge.

MOSFET-Parameter

Symbol

Parameter

Bewertung

Einheiten

VDS

Drain-Source-Spannung

150

V

VGS

Gate-Source-Spannung

±20

V

ID

Kontinuierlicher Drainstrom, VGS@ 10V(TC=25℃)

100

A

IDM

Gepulster Drainstrom

360

A

EAS

Einzelimpuls-Lawinenenergie

400

mJ

PD

Gesamtverlustleistung...C=25℃)

160

W

RθJA

Wärmewiderstand, Verbindungsumgebung

62

℃/W

RθJC

Wärmewiderstand, Anschlussgehäuse

0,78

℃/W

TSTG

Lagertemperaturbereich

-55 bis 175

TJ 

Betriebstemperaturbereich der Verbindungsstelle

-55 bis 175

 

 

Symbol

Parameter

Bedingungen

Mindest.

Typ.

Max.

Einheit

BVDSS 

Drain-Source-Durchbruchspannung VGS=0V , ID=250uA

150

---

---

V

RDS(EIN)

Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand2  VGS=10V , ID=20A

---

9

12

VGS(th)

Gate-Schwellenspannung VGS=VDS, ICHD=250uA

2,0

3,0

4,0

V

IDSS

Drain-Source-Leckstrom VDS=100V , VGS=0V , TJ=25℃

---

---

1

uA

IGSS

Gate-Source-Leckstrom VGS=±20V, VDS=0V

---

---

±100

nA

Qg 

Gesamte Gate-Gebühr VDS=50V , VGS=10V , ID=20A

---

66

---

nC

Qgs 

Gate-Source-Ladung

---

26

---

Qgd 

Gate-Drain-Ladung

---

18

---

Td(on)

Einschaltverzögerungszeit VDD=50V ,VGS=10V

RG=2Ω,

ID=20A

---

37

---

ns

Tr 

Aufstiegszeit

---

98

---

Td(aus)

Ausschaltverzögerungszeit

---

55

---

Tf 

Abfallzeit

---

20

---

Ciss 

Eingangskapazität VDS=30V , VGS=0V , f=1MHz --- 5450

---

pF

Coss

Ausgangskapazität

---

1730

---

CRSS 

Rückübertragungskapazität

---

195

---


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