WSD100N06GDN56 N-Kanal 60V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET-Produktübersicht
Die Spannung des WSD100N06GDN56 MOSFET beträgt 60 V, der Strom beträgt 100 A, der Widerstand beträgt 3 mΩ, der Kanal ist ein N-Kanal und das Gehäuse ist DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET-Anwendungsbereiche
MOSFETs für medizinische Stromversorgungen, MOSFETs für PDs, MOSFETs für Drohnen, MOSFETs für elektronische Zigaretten, MOSFETs für Großgeräte und MOSFETs für Elektrowerkzeuge.
WINSOK MOSFET entspricht anderen Markenmaterialnummern
AOS MOSFET AON6264C,AON6264E,AON6266E,AONS6662.STMicroelectronics MOSFET STL13N6F7,STL14N6F7.PANJIT MOSFET PSMQC33N6NS1.POTENS Semiconductor MOSFET PDC692X.
MOSFET-Parameter
| Symbol | Parameter | Bewertung | Einheiten | ||
| VDS | Drain-Source-Spannung | 60 | V | ||
| VGS | Gate-Source-Spannung | ±20 | V | ||
| ID1,6 | Kontinuierlicher Abflussstrom | TK=25°C | 100 | A | |
| TK=100°C | 65 | ||||
| IDM2 | Gepulster Drainstrom | TK=25°C | 240 | A | |
| PD | Maximale Verlustleistung | TK=25°C | 83 | W | |
| TK=100°C | 50 | ||||
| IAS | Lawinenstrom, Einzelimpuls | 45 | A | ||
| EAS3 | Einzelimpuls-Lawinenenergie | 101 | mJ | ||
| TJ | Maximale Sperrschichttemperatur | 150 | ℃ | ||
| TSTG | Lagertemperaturbereich | -55 bis 150 | ℃ | ||
| RθJA1 | Wärmewiderstandsübergang zur Umgebung | Gleichgewichtszustand | 55 | ℃/W | |
| RθJC1 | Wärmewiderstandsverbindung zum Gehäuse | Gleichgewichtszustand | 1.5 | ℃/W | |
| Symbol | Parameter | Bedingungen | Mindest. | Typ. | Max. | Einheit | |
| Statisch | |||||||
| V(BR)DSS | Drain-Source-Durchbruchspannung | VGS = 0 V, ID = 250 μA | 60 | V | |||
| IDSS | Null-Gate-Spannungs-Drainstrom | VDS = 48 V, VGS = 0 V | 1 | µA | |||
| TJ=85°C | 30 | ||||||
| IGSS | Gate-Leckstrom | VGS = ±20 V, VDS = 0 V | ±100 | nA | |||
| Über Eigenschaften | |||||||
| VGS(TH) | Gate-Schwellenspannung | VGS = VDS, IDS = 250 µA | 1.2 | 1.8 | 2.5 | V | |
| RDS(ein)2 | Drain-Source-Einschaltwiderstand | VGS = 10 V, ID = 20 A | 3,0 | 3.6 | mΩ | ||
| VGS = 4,5 V, ID = 15 A | 4.4 | 5.4 | mΩ | ||||
| Wechseln | |||||||
| Qg | Gesamte Gate-Gebühr | VDS=30V VGS=10V ID=20A | 58 | nC | |||
| Qgs | Gate-Sour Charge | 16 | nC | ||||
| Qgd | Gate-Drain-Ladung | 4,0 | nC | ||||
| td (ein) | Einschaltverzögerungszeit | VGEN=10V VDD=30V ID=20A RG=Ω | 18 | ns | |||
| tr | Einschaltanstiegszeit | 8 | ns | ||||
| td(aus) | Ausschaltverzögerungszeit | 50 | ns | ||||
| tf | Abschalt-Fallzeit | 11 | ns | ||||
| Rg | Gat-Widerstand | VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz | 0,7 | Ω | |||
| Dynamisch | |||||||
| Ciss | In Kapazität | VGS=0V VDS=30V f=1MHz | 3458 | pF | |||
| Coss | Aus Kapazität | 1522 | pF | ||||
| Krss | Rückübertragungskapazität | 22 | pF | ||||
| Eigenschaften und maximale Nennwerte der Drain-Source-Dioden | |||||||
| IS1,5 | Kontinuierlicher Quellstrom | VG=VD=0V, Kraftstrom | 55 | A | |||
| ISM | Gepulster Quellstrom3 | 240 | A | ||||
| VSD2 | Diodendurchlassspannung | ISD = 1A, VGS=0V | 0,8 | 1.3 | V | ||
| trr | Reverse-Recovery-Zeit | ISD=20A, dlSD/dt=100A/µs | 27 | ns | |||
| Qrr | Reverse Recovery Charge | 33 | nC | ||||
