WSD100N06GDN56 N-Kanal 60V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET-Produktübersicht
Die Spannung des WSD100N06GDN56 MOSFET beträgt 60 V, der Strom beträgt 100 A, der Widerstand beträgt 3 mΩ, der Kanal ist ein N-Kanal und das Gehäuse ist DFN5X6-8.
Anwendungsbereiche von WINSOK MOSFETs
MOSFETs für medizinische Stromversorgungen, MOSFETs für PDs, MOSFETs für Drohnen, MOSFETs für elektronische Zigaretten, MOSFETs für Großgeräte und MOSFETs für Elektrowerkzeuge.
WINSOK MOSFET entspricht anderen Markenmaterialnummern
AOS MOSFET AON6264C,AON6264E,AON6266E,AONS6662.STMicroelectronics MOSFET STL13N6F7,STL14N6F7.PANJIT MOSFET PSMQC33N6NS1.POTENS Semiconductor MOSFET PDC692X.
MOSFET-Parameter
| Symbol | Parameter | Bewertung | Einheiten | ||
| VDS | Drain-Source-Spannung | 60 | V | ||
| VGS | Gate-Source-Spannung | ±20 | V | ||
| ID1,6 | Kontinuierlicher Abflussstrom | TK=25°C | 100 | A | |
| TK=100°C | 65 | ||||
| IDM2 | Gepulster Drainstrom | TK=25°C | 240 | A | |
| PD | Maximale Verlustleistung | TK=25°C | 83 | W | |
| TK=100°C | 50 | ||||
| IAS | Lawinenstrom, Einzelimpuls | 45 | A | ||
| EAS3 | Einzelimpuls-Lawinenenergie | 101 | mJ | ||
| TJ | Maximale Sperrschichttemperatur | 150 | ℃ | ||
| TSTG | Lagertemperaturbereich | -55 bis 150 | ℃ | ||
| RθJA1 | Wärmewiderstandsübergang zur Umgebung | Gleichgewichtszustand | 55 | ℃/W | |
| RθJC1 | Wärmewiderstandsverbindung zum Gehäuse | Gleichgewichtszustand | 1.5 | ℃/W | |
| Symbol | Parameter | Bedingungen | Min. | Typ. | Max. | Einheit | |
| Statisch | |||||||
| V(BR)DSS | Drain-Source-Durchbruchspannung | VGS = 0 V, ID = 250 μA | 60 | V | |||
| IDSS | Null-Gate-Spannungs-Drainstrom | VDS = 48 V, VGS = 0 V | 1 | µA | |||
| TJ=85°C | 30 | ||||||
| IGSS | Gate-Leckstrom | VGS = ±20 V, VDS = 0 V | ±100 | nA | |||
| Über Eigenschaften | |||||||
| VGS(TH) | Gate-Schwellenspannung | VGS = VDS, IDS = 250µA | 1.2 | 1.8 | 2.5 | V | |
| RDS(ein)2 | Drain-Source-Einschaltwiderstand | VGS = 10 V, ID = 20 A | 3,0 | 3.6 | mΩ | ||
| VGS = 4,5 V, ID = 15 A | 4.4 | 5.4 | mΩ | ||||
| Wechseln | |||||||
| Qg | Gesamte Gate-Gebühr | VDS=30V VGS=10V ID=20A | 58 | nC | |||
| Qgs | Gate-Sour Charge | 16 | nC | ||||
| Qgd | Gate-Drain-Ladung | 4,0 | nC | ||||
| td (ein) | Einschaltverzögerungszeit | VGEN=10V VDD=30V ID=20A RG=Ω | 18 | ns | |||
| tr | Einschaltanstiegszeit | 8 | ns | ||||
| td(aus) | Ausschaltverzögerungszeit | 50 | ns | ||||
| tf | Abschalt-Fallzeit | 11 | ns | ||||
| Rg | Gat-Widerstand | VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz | 0,7 | Ω | |||
| Dynamisch | |||||||
| Ciss | In Kapazität | VGS=0V VDS=30V f=1MHz | 3458 | pF | |||
| Coss | Aus Kapazität | 1522 | pF | ||||
| Krss | Rückübertragungskapazität | 22 | pF | ||||
| Eigenschaften und maximale Nennwerte der Drain-Source-Dioden | |||||||
| IS1,5 | Kontinuierlicher Quellstrom | VG=VD=0V , Strom erzwingen | 55 | A | |||
| ISM | Gepulster Quellstrom3 | 240 | A | ||||
| VSD2 | Diodendurchlassspannung | ISD = 1A, VGS=0V | 0,8 | 1.3 | V | ||
| trr | Reverse-Recovery-Zeit | ISD=20A, dlSD/dt=100A/µs | 27 | ns | |||
| Qrr | Reverse Recovery Charge | 33 | nC | ||||
