RS1E281BN RS1E280BN RS1E280GN RS1E301GN RS1E321GN RS1E350BN RS1E350GN PK610SA PK510BA MOSFETs
MOSFET-Produktübersicht
Die Spannung BVDSS des ROHM RS1E281BN beträgt 30 V, der Strom-ID beträgt 80 A und der Innenwiderstand RDSON beträgt 2,3 mΩ.
Die Spannung BVDSS des ROHM RS1E280BN beträgt 30 V, der Strom-ID beträgt 80 A und der Innenwiderstand RDSON beträgt 2,3 mΩ.
Die Spannung BVDSS des ROHM RS1E280GN beträgt 30 V, der Strom-ID beträgt 80 A und der Innenwiderstand RDSON beträgt 2,6 mΩ.
Die Spannung BVDSS des ROHM RS1E301GN beträgt 30 V, der Strom ID beträgt 80 A und der Innenwiderstand RDSON beträgt 2,2 mΩ.
Die Spannung BVDSS des ROHM RS1E321GN beträgt 30 V, der Strom-ID beträgt 80 A und der Innenwiderstand RDSON beträgt 2,1 mΩ.
Die Spannung BVDSS des ROHM RS1E350BN beträgt 30 V, der Strom-ID beträgt 80 A und der Innenwiderstand RDSON beträgt 1,7 mΩ.
Die Spannung BVDSS des ROHM RS1E350GN beträgt 30 V, der Strom-ID beträgt 80 A und der Innenwiderstand RDSON beträgt 1,76 mΩ.
Die Spannung BVDSS des NIKO PK610SA beträgt 30 V, der Strom-ID beträgt 83 A und der Innenwiderstand RDSON beträgt 2,8 mΩ.
Die Spannung BVDSS des NIKO PK510BA beträgt 30 V, der Strom-ID beträgt 86 A und der Innenwiderstand RDSON beträgt 3,3 mΩ.
entsprechende Materialnummer
Die Spannung BVDSS des WINSOK WSD30140DN56 FET beträgt 30 V, der Strom-ID beträgt 85 A, der Innenwiderstand RDSON beträgt 1,7 mΩ, N-Kanal, und das Gehäuse ist DFN5*6-8.
MOSFET-Anwendungsfelder
E-Zigaretten-FET, kabelloser Lade-FET, Drohnen-FET, medizinischer FET, Autolade-FET, Controller-FET, digitaler Produkt-FET, kleiner Haushaltsgeräte-FET, Unterhaltungselektronik-FET usw.
