NTMFS6B14N SiR84DP SiR87ADP BSC19N1NS3G TPH6R3ANL TPH8R8ANH N-Kanal DFN5X6-8 MOSFETs
MOSFET-Produktübersicht
Onsemi NTMFS6B14N
VISHAY SiR84DP SiR87ADP
INFINEON IR BSC19N1NS3G
TOSHIBA TPH6R3ANL TPH8R8ANH
entsprechende Materialnummer
Die Spannung BVDSS des WINSOK WSD60N10GDN56 FET beträgt 100 V, der Strom beträgt 60 A, der Widerstand beträgt 8,5 mΩ, der Kanal ist N-Kanal und das Gehäuse ist DFN5X6-8.
MOSFET-Anwendungsfelder
MOSFET für E-Zigaretten, MOSFET für kabelloses Laden, MOSFET für Motoren, MOSFET für Drohnen, MOSFET für medizinische Versorgung, MOSFET für Autoladegeräte, MOSFET für Controller, MOSFET für digitale Produkte, MOSFET für kleine Haushaltsgeräte, MOSFET für Unterhaltungselektronik.
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