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Der Unterschied zwischen N-Kanal-MOSFET und P-Kanal-MOSFET! Helfen Sie Ihnen, MOSFET-Hersteller besser auszuwählen!
Schaltungsdesigner müssen sich bei der Auswahl von MOSFETs eine Frage gestellt haben: Sollten sie sich für einen P-Kanal-MOSFET oder einen N-Kanal-MOSFET entscheiden? Als Hersteller müssen Sie wollen, dass Ihre Produkte zu niedrigeren Preisen mit anderen Händlern konkurrieren können, und Sie alle...Mehr lesen -
Detaillierte Erläuterung des Funktionsprinzipdiagramms des MOSFET | Analyse der internen Struktur von FET
MOSFET ist eine der grundlegendsten Komponenten in der Halbleiterindustrie. In elektronischen Schaltkreisen werden MOSFETs im Allgemeinen in Leistungsverstärkerschaltungen oder Schaltnetzteilschaltungen verwendet und sind weit verbreitet. Nachfolgend gibt Ihnen OLUKEY eine ...Mehr lesen -
Olukey erklärt Ihnen die Parameter von MOSFET!
Als eines der grundlegendsten Bauelemente im Halbleiterbereich wird der MOSFET häufig sowohl im IC-Design als auch in Schaltkreisanwendungen auf Platinenebene eingesetzt. Wie viel wissen Sie über die verschiedenen Parameter von MOSFET? Als Spezialist für mittlere und niedrige...Mehr lesen -
Olukey: Lassen Sie uns über die Rolle des MOSFET in der grundlegenden Architektur des Schnellladens sprechen
Die grundlegende Stromversorgungsstruktur des Schnelllade-QC verwendet Flyback + sekundärseitiges (sekundäres) Synchrongleichrichtungs-SSR. Bei Sperrwandlern kann es entsprechend der Rückkopplungsabtastmethode unterteilt werden in: Primärseite (Primärseite ...Mehr lesen -
Wie viel wissen Sie über MOSFET-Parameter? OLUKEY analysiert es für Sie
„MOSFET“ ist die Abkürzung für Metal Oxide Semicoductor Field Effect Transistor. Es handelt sich um ein Gerät aus drei Materialien: Metall, Oxid (SiO2 oder SiN) und Halbleiter. MOSFET ist eines der grundlegendsten Geräte im Halbleiterbereich. ...Mehr lesen -
Wie wählt man einen MOSFET aus?
Wenn in letzter Zeit viele Kunden zu Olukey kommen, um sich über MOSFETs zu beraten, werden sie die Frage stellen: Wie wählt man einen geeigneten MOSFET aus? Was diese Frage betrifft, wird Olukey sie für alle beantworten. Zunächst müssen wir das Prinzip verstehen ...Mehr lesen -
Funktionsprinzip des N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET
(1) Der Steuereffekt von vGS auf ID und Kanal ① Fall von vGS=0 Es ist ersichtlich, dass es zwei Back-to-Back-PN-Übergänge zwischen Drain d und Source s des Anreicherungsmodus-MOSFET gibt. Wenn die Gate-Source-Spannung vGS=0 ist, auch wenn ...Mehr lesen -
Die Beziehung zwischen MOSFET-Gehäuse und Parametern, wie man FETs mit geeigneter Verpackung auswählt
①Plug-in-Verpackung: TO-3P, TO-247, TO-220, TO-220F, TO-251, TO-92; ②Oberflächenmontagetyp: TO-263, TO-252, SOP-8, SOT-23, DFN5*6, DFN3*3; Unterschiedliche Verpackungsformen, die entsprechende Grenzstrom-, Spannungs- und Wärmeableitungswirkung von MO...Mehr lesen -
Was bedeuten die drei Pins G, S und D des verpackten MOSFET?
Dies ist ein verpackter pyroelektrischer MOSFET-Infrarotsensor. Der rechteckige Rahmen ist das Erfassungsfenster. Der G-Pin ist der Erdungsanschluss, der D-Pin ist der interne MOSFET-Drain und der S-Pin ist die interne MOSFET-Source. Auf der Rennstrecke ...Mehr lesen -
Die Bedeutung von Leistungs-MOSFETs bei der Entwicklung und dem Design von Motherboards
Zunächst einmal ist die Anordnung des CPU-Sockels sehr wichtig. Es muss genügend Platz für die Installation des CPU-Lüfters vorhanden sein. Wenn er sich zu nahe am Rand des Motherboards befindet, wird es in manchen Fällen schwierig sein, den CPU-Kühler zu installieren, wenn ...Mehr lesen -
Sprechen Sie kurz über die Herstellungsmethode eines Hochleistungs-MOSFET-Wärmeableitungsgeräts
Konkreter Plan: ein Hochleistungs-MOSFET-Wärmeableitungsgerät, einschließlich eines Hohlstrukturgehäuses und einer Leiterplatte. Die Leiterplatte ist im Gehäuse angeordnet. An beiden Enden der Schaltung sind mehrere nebeneinander liegende MOSFETs angeschlossen ...Mehr lesen -
FET DFN2X2-Gehäuse, einzelner P-Kanal, 20 V–40 V, Modellanordnung_WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET DFN2X2-6L-Gehäuse, einzelner P-Kanal-FET, Spannung 20 V–40 V. Die Modelle sind wie folgt zusammengefasst: 1. Modell: WSD8823DN22 einzelner P-Kanal –20 V –3,4 A, Innenwiderstand 60 mΩ. Entsprechende Modelle: AOS: AON2403 ON Halbleiter: FDM ...Mehr lesen
