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Erkennung isolierter Layer-Gate-MOSFETs
Isolationsschicht-Gate-MOSFET, auch MOSFET genannt (im Folgenden als MOSFET bezeichnet), der in der Mitte der Gate-Spannung und des Source-Drain einen Kabelmantel aus Siliziumdioxid aufweist. MOSFETs sind ebenfalls zwei Kategorien, N-Kanal und P-Kanal, aber jede Kategorie ist in zwei Kategorien unterteilt.Mehr lesen -
Wie kann man feststellen, ob ein MOSFET gut oder schlecht ist?
Es gibt zwei Möglichkeiten, den Unterschied zwischen einem guten und einem schlechten MOSFET zu erkennen: Die erste: qualitativ die Vor- und Nachteile von MOSFETs unterscheiden. Verwenden Sie zunächst den Multimeter-R × 10-kΩ-Block (eingebauter 9-V- oder 15-V-Akku) und schließen Sie den Minusstift (schwarz) an ...Mehr lesen -
Ideen zur Lösung der schwerwiegenden Wärmeerzeugung von MOSFETs
Ich weiß nicht, ob Sie ein Problem gefunden haben. MOSFETs fungieren als Schaltnetzteil. Während des Betriebs kann es zu starker Hitze kommen. Wenn Sie das Problem der Erwärmung von MOSFETs lösen möchten, müssen wir zunächst die Ursache ermitteln und daher testen um herauszufinden, wo die Pr...Mehr lesen -
Die Rolle von MOSFETs in Schaltkreisen
MOSFETs spielen beim Schalten von Schaltkreisen eine Rolle, indem sie das Ein- und Ausschalten des Schaltkreises sowie die Signalumwandlung steuern. MOSFETs können grob in zwei Kategorien unterteilt werden: N-Kanal und P-Kanal. In der N-Kanal-MOSFET-Schaltung ist der BEEP-Pin hoch, um die Summerreaktion zu ermöglichen, und niedrig...Mehr lesen -
Schauen Sie sich MOSFETs an
MOSFETs sind isolierende MOSFETs in integrierten Schaltkreisen. MOSFETs gehören zu den grundlegendsten Bauelementen im Halbleiterbereich und werden häufig in Schaltkreisen auf Platinenebene sowie im IC-Design verwendet. Drain und Source von MOSFETs können integriert werden.Mehr lesen -
Grundlegende Identifizierung und Prüfung von MOSFETs
1. Identifikation des Anschluss-MOSFET-Pins Das Gate des MOSFET ist die Basis des Transistors, und Drain und Source sind der Kollektor und Emitter des entsprechenden Transistors. Das Multimeter für R × 1k-Gang, mit zwei Stiften zum Messen des Vorwärts- und Rückwärtswiderstands b...Mehr lesen -
Ursachen und Vorbeugung von MOSFET-Ausfällen
Die beiden Hauptursachen für den Ausfall eines MOSFET: Spannungsausfall: Das heißt, die BVdss-Spannung zwischen Drain und Source überschreitet die Nennspannung des MOSFET und erreicht eine bestimmte Kapazität, was zum Ausfall des MOSFET führt. Gate-Spannungsfehler: Das Gate weist eine abnormale Spannung auf ...Mehr lesen -
Was kann ich tun, um meinen MOSFET zu reparieren, der sich stark erwärmt?
Stromversorgungsschaltungen oder Stromversorgungsschaltungen im Antriebsbereich verwenden zwangsläufig MOSFETs, die vielfältiger Art sind und viele Funktionen haben. Zum Schalten von Stromversorgungs- oder Antriebsanwendungen ist es selbstverständlich, die Schaltfunktion zu nutzen. Unabhängig vom N-Typ o...Mehr lesen -
MOSFET-Leitungseigenschaften
MOSFET-Leitfähigkeit bedeutet, dass er als Schalter verwendet wird, was dem Schließen eines Schalters entspricht. Ein NMOS gilt als leitend, wenn Vgs einen begrenzten Wert überschreitet. Dies gilt für den Zustand, in dem die Quelle an ein geerdetes Gerät angeschlossen ist und nur das Gate benötigt wird vol...Mehr lesen -
MOSFET-Betriebseigenschaften
Aus dem Namen geht hervor, dass Leistungs-MOSFETs wieder arbeiten können, wenn der Ausgangsstrom größer ist. Die MOSFET-Klassifizierung ist in viele Arten unterteilt, die wir anhand der Eigenschaften des Stromverbrauchs in Anreicherungs- und Verarmungstypen einteilen können. Wenn ...Mehr lesen -
Analyse der Gründe für die Unwirksamkeit von MOSFET
In diesem Stadium der Anwendung der Industrie ist die Anwendung der ersten Verbraucherelektronikgeräte-Adapterwaren. An zweiter Stelle stehen Computer-Motherboards, Computer-Adapter, LCD-Monitore und andere Gebrauchsgegenstände. An dritter Stelle steht das Kommunikationsnetz...Mehr lesen -
Parameteranalyse und Messung von MOSFETs
Es gibt viele Arten von Hauptparametern von MOSFETs, die Gleichstrom-, Wechselstrom- und Grenzparameter umfassen. Die allgemeine Anwendung muss sich jedoch nur um die folgenden Grundparameter kümmern: Sättigungszustand des Leckquellenstroms, IDSS-Abschnürungsspannung. .Mehr lesen
