Es gibt zwei Arten von MOSFETs: N-Kanal und P-Kanal. In EnergiesystemenMOSFETskönnen als elektrische Schalter betrachtet werden. Der Schalter eines N-Kanal-MOSFET leitet, wenn zwischen Gate und Source eine positive Spannung angelegt wird. Beim Leiten kann Strom durch den Schalter vom Drain zur Source fließen. Zwischen Drain und Source besteht ein Innenwiderstand, der als Einschaltwiderstand RDS(ON) bezeichnet wird.
MOSFET als Grundkomponente des elektrischen Systems, Guanhua Weiye erklärt Ihnen, wie Sie anhand der Parameter die richtige Wahl treffen?
I. Kanalauswahl
Der erste Schritt bei der Auswahl des richtigen Geräts für Ihr Design besteht darin, zu bestimmen, ob ein N-Kanal- oder P-Kanal-MOSFET verwendet werden soll. Bei Leistungsanwendungen ist ein MOSFET geerdet und die Last mit der Stammspannung verbunden, wenn der MOSFET einen Schalter auf der Niederspannungsseite bildet. N-Kanal-MOSFETs sollten beim Schalten auf der Niederspannungsseite verwendet werden, da die zum Aus- oder Einschalten des Geräts erforderliche Spannung berücksichtigt werden muss. Wenn der MOSFET mit dem Bus und der Masseverbindung der Last verbunden ist, sollte die Schaltung auf der Hochspannungsseite verwendet werden.
II. Auswahl von Spannung und Strom
Je höher die Nennspannung, desto höher sind die Kosten des Geräts. Erfahrungsgemäß sollte die Nennspannung größer sein als die Stammspannung bzw. Busspannung. Nur dann kann ein ausreichender Schutz vor MOSFET-Ausfällen gewährleistet werden. Bei der Auswahl eines MOSFET muss die maximale Spannung von Drain zu Source bestimmt werden.
Im kontinuierlichen Leitungsmodus ist dieMOSFETbefindet sich in einem stabilen Zustand, wenn kontinuierlich Strom durch das Gerät fließt. Von Impulsspitzen spricht man, wenn große Überspannungen (oder Spitzenströme) durch das Gerät fließen. Sobald der maximale Strom unter diesen Bedingungen ermittelt wurde, wählen Sie einfach das Gerät aus, das dem maximalen Strom standhalten kann.
Drittens Leitungsverlust
Da der Einschaltwiderstand mit der Temperatur variiert, variiert der Leistungsverlust proportional. Bei tragbaren Designs ist die Verwendung einer niedrigeren Spannung üblicher, während bei Industriedesigns höhere Spannungen verwendet werden können.
Thermische Anforderungen des Systems
In Bezug auf die Anforderungen an die Systemkühlung weist Crown Worldwide darauf hin, dass zwei verschiedene Szenarien berücksichtigt werden müssen: der schlimmste Fall und die tatsächliche Situation. Verwenden Sie die Worst-Case-Berechnung, da dieses Ergebnis eine größere Sicherheitsmarge bietet und garantieren kann, dass das System nicht ausfällt.
DerMOSFETersetzt nach und nach die Triode in integrierten Schaltkreisen aufgrund ihres geringen Stromverbrauchs, ihrer stabilen Leistung und ihrer Strahlungsbeständigkeit. Dennoch ist es sehr empfindlich, und obwohl die meisten von ihnen bereits über eingebaute Schutzdioden verfügen, können sie beschädigt werden, wenn man nicht aufpasst. Daher ist es am besten, auch bei der Anwendung vorsichtig zu sein.
Zeitpunkt der Veröffentlichung: 27. April 2024
