FDC634P Si3443DDV PMDT670UPE MOSFETs mit mittlerer und niedriger Leistung
MOSFET-Produktübersicht
Beim FDC634P beträgt die Spannung BVDSS -20 V, der Strom ID beträgt -3,5 A, der Innenwiderstand RDSON beträgt 80 mΩ
VISHAY Si3443DDV Spannung BVDSS beträgt -20 V, Strom-ID beträgt -4 A, Innenwiderstand RDSON beträgt 90 mΩ
NXP PMDT670UPE Spannung BVDSS beträgt -20 V, Strom-ID beträgt 0,55 A, Innenwiderstand RDSON beträgt 850 mΩ
entsprechende Materialnummer
Die Spannung BVDSS des WINSOK WST2011 FET beträgt -20 V, der Strom-ID beträgt -3,2 A, der Innenwiderstand RDSON beträgt 80 mΩ, Dual-P-Kanal und das Gehäuse ist SOT-23-6L.
MOSFET-Anwendungsfelder
E-Zigaretten-MOSFET, Controller-MOSFET, Digitalprodukt-MOSFET, Kleinhaushaltsgeräte-MOSFET, Unterhaltungselektronik-MOSFET.
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