BSC050N03MSG CSD17327Q5A CSD17307Q5A PH2520U TPH4R803PL TPH3R203NL PJQ5410 AP3D5R0M PDC3803R MOSFETs
MOSFET-Produktübersicht
INFINEON BSC050N03MSG Die Spannung BVDSS beträgt BSC050N03MSGV, der Strom-ID beträgt 80 A und der Innenwiderstand RDSON beträgt 6,3 mΩ.
Die Spannung BVDSS des TI CSD17327Q5A beträgt 30 V, der Strom ID beträgt 85 A und der Innenwiderstand RDSON beträgt 12,5 mΩ.
Die Spannung BVDSS des TI CSD17307Q5A beträgt 30 V, die Stromstärke ID beträgt 73 A und der Innenwiderstand RDSON beträgt 12,8 mΩ.
Die Spannung BVDSS des NXP PH2520U beträgt 20 V, der Strom-ID beträgt 100 A und der Innenwiderstand RDSON beträgt 2,7 mΩ.
Die Spannung BVDSS des TOSHIBA TPH4R803PL beträgt 30 V, der Strom-ID beträgt 90 A und der Innenwiderstand RDSON beträgt 6,2 mΩ.
Die Spannung BVDSS des TOSHIBA TPH3R203NL beträgt 30 V, der Strom-ID beträgt 84 A und der Innenwiderstand RDSON beträgt 4,7 mΩ.
Die Spannung BVDSS des PANJIT PJQ5410 beträgt 30 V, der Strom ID beträgt 80 A und der Innenwiderstand RDSON beträgt 9 mΩ.
Die Spannung BVDSS des AP AP3D5R0M beträgt 30 V, der Strom ID beträgt 74 A und der Innenwiderstand RDSON beträgt 11,5 mΩ.
Die Spannung BVDSS des PDC3803R beträgt 30 V, der Strom-ID beträgt 85 A und der Innenwiderstand RDSON beträgt 9,5 mΩ.
entsprechende Materialnummer
Die Spannung BVDSS des WINSOK WSD30140DN56 FET beträgt 30 V, der Strom-ID beträgt 85 A, der Innenwiderstand RDSON beträgt 1,7 mΩ, N-Kanal, und das Gehäuse ist DFN5*6-8.
MOSFET-Anwendungsfelder
E-Zigaretten-MOSFET, drahtloser Lade-MOSFET, Drohnen-MOSFET, medizinischer MOSFET, Autolade-MOSFET, Controller-MOSFET, Digitalprodukt-MOSFET, MOSFET für kleine Haushaltsgeräte, Unterhaltungselektronik-MOSFET usw.
