Die Schnellladetechnologie als zentraler Bestandteil moderner elektronischer Geräte entwickelt sich rasant weiter.Angetrieben durch den Schnelllademarkt fordern Branchen wie Smartphones und Elektrofahrzeuge zunehmend schnelle und effiziente Ladelösungen.Innovationen in der Schnellladetechnologie konzentrieren sich nicht nur auf die Verbesserung der Ladegeschwindigkeit, sondern legen auch Wert auf die Sicherheit.Mit Blick auf die Zukunft wird die Schnellladetechnologie mit kabellosem Laden und effizienterer Batterietechnologie kombiniert, um einen qualitativen Sprung zu machen und den Nutzern ein komfortableres und umweltfreundlicheres Ladeerlebnis zu bieten.Mit der Entwicklung der Technologie und der Expansion des Marktes wird erwartet, dass die Schnellladebranche weiterhin schnell wächst.
Wenn wir über die Anwendung von sprechenMOSFETBei der Schnellladetechnologie gibt es tatsächlich mehrere Probleme.
Erstens, weil schnelles Laden einen großen Strom erfordertMOSFETwird sich sehr stark erwärmen, und der Umgang mit dieser Hitze wird zu einem großen Problem.Hinzu kommen Effizienzherausforderungen.Beim schnellen Schalten verliert der MOSFET leicht einen Teil seiner Energie, was sich auf die Ladeeffizienz auswirkt.Darüber hinaus sollen Schnellladegeräte so klein wie möglich sein, was jedoch erfordert, dass der MOSFET klein ist und auch das Wärmeproblem bewältigt.Da der MOSFET schnell schaltet, kann es zu Störungen anderer elektronischer Geräte kommen, was ebenfalls ein Problem darstellt.Schließlich stellt die Schnellladeumgebung hohe Anforderungen an die Spannungs- und Stromfestigkeit von MOSFETs, was einen Test für ihre Leistung darstellt.Wenn Sie längere Zeit in dieser Umgebung arbeiten, kann dies auch Auswirkungen auf die Lebensdauer und Zuverlässigkeit haben.Kurz gesagt: Obwohl MOSFETs für das schnelle Laden von entscheidender Bedeutung sind, stehen sie vor vielen Herausforderungen.
WINSOKMOSFET kann Ihnen möglicherweise bei der Lösung der oben genannten Probleme helfen.Die Hauptanwendungsmodelle von WINSOK MOSFET beim Schnellladen sind:
| Artikelnummer | Aufbau | Typ | VDS | ID (A) | VGS(th)(v) | RDS(EIN)(mΩ) | Ciss | Paket | |||
| @10V | |||||||||||
| (V) | Max. | Mindest. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | (pF) | ||||
| Einzel | N-Ch | 30 | 50 | 1.5 | 1.8 | 2.5 | 6.7 | 8.5 | 1200 | DFN3X3-8 | |
| Einzel | P-Ch | -30 | -40 | -1.3 | -1,8 | -2.3 | 11 | 14 | 1380 | DFN3X3-8 | |
| Einzel | N-Ch | 60 | 18 | 1 | 2 | 3 | 7 | 9 | 3760 | SOP-8 | |
| Einzel | N-Ch | 100 | 16 | 1.4 | 1.7 | 2.5 | 8.9 | 11 | 4000 | SOP-8 | |
| Einzel | P-Ch | -30 | -8.2 | -1,5 | -2 | -2,5 | 16 | 20 | 2050 | SOP-8 | |
| Einzel | P-Ch | -30 | -13 | -1.2 | -2 | -2,5 | 9.6 | 15 | 1550 | SOP-8 | |
| N+P | N-Ch | 30 | 7 | 1 | 1.5 | 2.5 | 18 | 28 | 550 | SOP-8 | |
| P-Ch | -30 | -6 | -1 | -1,5 | -2,5 | 30 | 38 | 645 | |||
| Einzel | N-Ch | 100 | 85 | 2 | 3 | 4 | 10 | 13 | 2100 | TO-220 | |
Weitere Markenmaterialnummern, die dem oben genannten WINSOK-MOSFET entsprechen, sind:
Die entsprechenden Materialnummern des WINSOK MOSFET WSD3050DN sind: AOS AON7318, AON7418, AON7428, AON7440, AON7520, AON7528, AON7544, AON7542.Onsemi,FAIRCHILD NTTFS4939N,NTTFS4C08N.VISHAY SiSA84DN.Nxperian PSMN9R8- 30MLC.TOSHIBA TPN4R303NL.PANJIT PJQ4408P.NIKO- SEM PE5G6EA.
Die entsprechenden Materialnummern des WINSOK MOSFET WSD30L40DN lauten: AOS AON7405, AONR21357, AON7403, AONR21305C.ST Microelectronics STL9P3LLH6.PANJIT PJQ4403P.NIKO-SEM P1203EEA, PE507BA.
Die entsprechenden Materialnummern des WINSOK MOSFET WSP6020 sind:AOS AO4262E,AO4264E,AO4268.Onsemi,FAIRCHILD FDS86450.PANJIT PJL9436.NIKO-SEM P0706BV.Potens Semiconductor PDS6904-5.
Die entsprechenden Materialnummern des WINSOK MOSFET WSP16N10 sind:AOS AO4290,AO4290A,AO4294,AO4296.VISHAY Si4190ADY.Potens Semiconductor PDS0960.DINTEK ELECTRONICS DTM1012.
Die entsprechenden Materialnummern des WINSOK MOSFET WSP4435 sind: AOS AO4335, AO4403, AO4405, AO4411, AO4419, AO4435, AO4449, AO4459, AO4803, AO4803A, AO4807, AO4813. Onsemi, FAIRCHILD FDS4465BZ, FDS6685. VISHAY Si4 431CDY.ST Mikroelektronik STS10P3LLH6,STS5P3LLH6 ,STS6P3LLH6,STS9P3LLH6.TOSHIBA TPC8089-H.PANJIT PJL9411.Sinopower SM4310PSK.NIKO-SEM P3203EVG.Potens Semiconductor PDS3907.DINTEK ELECTRONICS DTM4435,DTM4437.
Die entsprechenden Materialnummern des WINSOK MOSFET WSP4407 sind: AOS AO4407, AO4407A, AOSP21321, AOSP21307.Onsemi,FAIRCHILD FDS6673BZ.VISHAY Si4825DDY.ST Microelectronics STS10P3LLH6,STS5P3LLH6,STS6P3LLH6,STS9P3LLH6.TOSHIBA TPC8125.PANJIT PJL94153.Sinopower SM4305PSK.NIKO-SEM PV507BA ,P1003EVG.Potens Semiconductor PDS4903.DINTEK ELECTRONICS DTM4407,DTM4415,DTM4417.
Die entsprechenden Materialnummern des WINSOK MOSFET WSP4606 sind:AOS AO4606,AO4630,AO4620,AO4924,AO4627,AO4629,AO4616.Onsemi,FAIRCHILD ECH8661,FDS8958A.VISHAY Si4554DY.PANJIT PJL9606.Sinopower SM4901CSK.NIKO-SEM P5003QVG.Potens Semiconductor PDS3710. DINTEK ELECTRONICS DTM4606,DTM4606BD,DTM4606BDY.
Die entsprechenden Materialnummern des WINSOK MOSFET WSR80N10 sind:AOS AOTF290L.Onsemi,FAIRCHILD FDP365IU.ST Microelectronics STP80N10F7.Nxperian PSMN9R5-100PS.INFINEON,IR IPP086N10N3 G ,IPP086N10N3 G.NXP PSMN9R5-100PS.TO SHIBA TK100E08N1,TK100A08N1.Potens Semiconductor PDP0966.
Zeitpunkt der Veröffentlichung: 28. November 2023
