Tragbare Powerbanks (auch tragbare Ladegeräte genannt) werden häufig für verschiedene elektronische Geräte verwendet. Aufgrund der Fortschritte in der Batterietechnologie wird erwartet, dass zukünftige Powerbanks leichter sind, eine höhere Kapazität haben und schnellere Ladegeschwindigkeiten bieten. Intelligente Funktionen und Multifunktionalität werden ebenfalls wichtige Entwicklungsbereiche sein, um der wachsenden Nachfrage nach mobilen Energielösungen gerecht zu werden.
MOSFETs in tragbaren Powerbanks (tragbaren Ladegeräten) stehen vor Herausforderungen in Bezug auf Effizienz und Haltbarkeit. Zu den Hauptproblemen gehören Stromverlust, unzureichendes Wärmemanagement und Zuverlässigkeitsprobleme bei hoher Last, die die Leistung und Lebensdauer der Powerbanks einschränken.VerwendungWINSOKMOSFET kann Ihnen möglicherweise bei der Lösung der oben genannten Probleme helfen.
WINSOK Mittel- und Niederspannungs-MOSFET-Anwendungen in mobilen Stromversorgungen, Hauptanwendungsmodelle:
| Teilenummer | Konfiguration | Typ | VDS | ID (A) | VGS(th)(v) | RDS(EIN)(mΩ) | Ciss | Paket | |||
| @10V | |||||||||||
| (V) | Max. | Min. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | (pF) | ||||
| Einzel | N-Ch | 30 | 5.6 | 0,5 | 0,8 | 1 | - | - | 525 | SOT-23N | |
| Einzel | N-Ch | 20 | 5.9 | 0,3 | 0,5 | 1.2 | - | - | 395 | SOT-23-3L | |
| Einzel | N-Ch | 30 | 5.5 | 1 | 1.4 | 2 | 26 | 32 | 391 | SOT-23-3L | |
| Einzel | P-Ch | -20 | -7.1 | -0,5 | -0,5 | -1 | - | - | 2000 | SOT-23-3L | |
| Einzel | P-Ch | -30 | -5.1 | -0,7 | -1 | -1.3 | - | 43 | 826 | SOT-23-3L | |
| Einzel | P-Ch | -30 | -120 | -1.2 | -1,5 | -2,5 | 2.9 | 3.6 | 6100 | DFN5X6-8 | |
| Einzel | N-Ch | 30 | 12 | 1.2 | 1.9 | 2.5 | 9.5 | 12 | 770 | SOP-8 | |
| Dual+ESD | N-Ch | 20 | 7.2 | 0,5 | 0,7 | 1.2 | - | - | 615 | SOP-8 | |
| Dual+ESD | N-Ch | 20 | 7.5 | 0,5 | 0,7 | 1.1 | - | - | 620 | SOP-8 | |
| Einzel | P-Ch | -30 | -8.2 | -1,5 | -2 | -2,5 | 16 | 20 | 2050 | SOP-8 | |
| Einzel | P-Ch | -30 | -13 | -1.2 | -2 | -2,5 | 9.6 | 15 | 1550 | SOP-8 | |
| Dual | P-Ch | -20 | -5,8 | -0,6 | -1.1 | -1,7 | 40 | 65 | 625 | SOP-8 | |
| N+P | N-Ch | 30 | 7 | 1 | 1.5 | 2.5 | 18 | 28 | 550 | SOP-8 | |
| P-Ch | -30 | -6 | -1 | -1,5 | -2,5 | 30 | 38 | 645 | |||
| Einzel | P-Ch | -30 | -65 | -1 | -1,6 | -2,5 | 7.5 | 9.5 | 3448 | TO-252 | |
Weitere Markenmaterialnummern, die dem oben genannten WINSOK-MOSFET entsprechen, sind:
Die entsprechenden Materialnummern des WINSOK MOSFET WST3400S sind: AOS AO3400, AO3400A, AO3404 s Semiconductor PDN3643.
Die entsprechenden Materialnummern des WINSOK MOSFET WST2316 sind:AOS AO3420.Potens Semiconductor PDN2318S.
Die entsprechenden Materialnummern des WINSOK MOSFET WST3408 sind:AOS AO3404,AO3404A,AO3406,AO3454,AO3456.Onsemi,FAIRCHILD FDN537N.VISHAY Si2366DS,Si2336DS.STMicroelectronics STR2N2VH5.Nxperian PMV25ENEA.TOSHIBA. SSM3K333R,S SM3K335R.PANJIT PJA3404,PJA3404A.APEC AP2316GN, AP2326GN.Diodes Incorporated ZXMN3F30FH.Sinopower SM2308NSA,SM2304NSA.NIKO-SEM P3203CMG.Potens Semiconductor PDN3612S.
Die entsprechenden Materialnummern des WINSOK MOSFET WST2339 sind: AOS AO3413, AO3415A, AO3415A, AO3419, AO3423, AO3435, AO3493, AO3495, AO3499, AO21115C. VISHAY Si2399DS. TOSHIBA SSM3J355R. Sinopower. SM2335PSA. Potens Halbleiter PDN2309S.
Die entsprechenden Materialnummern des WINSOK MOSFET WST3409 sind:AOS AO3401,AO3401A,AO3453,AO3459.VISHAY Si2343CDS.TOSHIBA SSM3J332R,SSM3J372R.Sinopower SM2315PSA.NIKO-SEM P5103EMG.Potens Semiconductor PDN2309S.
Die entsprechenden Materialnummern des WINSOK MOSFET WSD30L120DN56 sind:AOS AON6403,AON6407,AON6411.PANJIT PJQ5427.Potens Semiconductor PDC3901X.
Die entsprechenden Materialnummern des WINSOK MOSFET WSP4406 sind:AOS AO4406A,AO4306,AO4404B,AO4466,AO4566.Onsemi,FAIRCHILD NTMS4801N.VISHAY Si4178DY.STMicroelectronics STS11NF30L.INFINEON,IR BSO110N03MS G.TOSHIBA NL.PANJIT PJL9412.Sinopower SM4832NSK,SM4834NSK,SM4839NSK .NIKO-SEM PV548BA,P1203BVA,P0903BVA.Potens Semiconductor PDS3908.
Die entsprechenden Materialnummern des WINSOK MOSFET WSP9926 sind:AOS AO9926B,AO9926C.Onsemi,FAIRCHILD FDS6890A,FDS6892A,FDS6911.VISHAY Si9926CDY.Potens Semiconductor PDS3808.
Die entsprechenden Materialnummern des WINSOK MOSFET WSP9926A sind:AOS AO9926B,AO9926C.Onsemi,FAIRCHILD FDS6890A,FDS6892A,FDS6911.VISHAY Si9926CDY.INFINEON,IR BSO330N02K G.Sinopower SM9926DSK.Potens Semiconductor PDS3810.
Die entsprechenden Materialnummern des WINSOK MOSFET WSP4435 sind: AOS AO4335, AO4403, AO4405, AO4411, AO4419, AO4435, AO4449, AO4459, AO4803, AO4803A, AO4807, AO4813.Onsemi, FAIRCHILD. FDS4465BZ, FDS6685.VISHAY Si4431CDY.STMicroelectronics STS10P3LLH6,STS5P3LLH6, STS6P3LLH6,STS9P3LLH6.TOSHIBA TPC8089-H.PANJIT PJL9411.Sinopower SM4310PSK.NIKO-SEM P3203EVG.Potens Semiconductor PDS3907.
Die entsprechenden Materialnummern des WINSOK MOSFET WSP4407 sind:AOS AO4407,4407A,AOSP21321,AOSP21307.Onsemi,FAIRCHILD FDS6673BZ.VISHAY Si4825DDY.STMicroelectronics STS10P3LLH6,STS5P3LLH6,STS6P3LLH6,STS9P3LLH6.TOSHI BA TPC8125.PANJIT PJL94153.Sinopower SM4305PSK.NIKO-SEM PV507BA, P1003EVG.Potens Semiconductor PDS4903.
Die entsprechenden Materialnummern des WINSOK MOSFET WSP4953A sind:AOS AO4801,AO4801A,AO4803,AO4803A.Onsemi,FAIRCHILD NTMS5P02.VISHAY Si9933CDY.STMicroelectronics STS4DPF20L.TOSHIBA TPC8129.ROHM QH8JA1.PANJIT PJL9801.APEC AP2 P028EM,AP4413GM.Diodes Incorporated ZXMP3A16N8.NIKO- SEM PV521BA.
Die entsprechenden Materialnummern des WINSOK MOSFET WSP4606 sind: AOS AO4606, AO4630.
AOS AO4620,AO4924,AO4627,AO4629,AO4616.Onsemi,FAIRCHILD ECH8661,FDS8958A.VISHAY Si4554DY.PANJIT PJL9606.PANJIT PJL9602.Sinopower SM4901CSK.NIKO-SEM P5003QVG.Potens Semiconductor. PDS3 710.
Die entsprechenden Materialnummern des WINSOK MOSFET WSF70P03 sind:AOS AOD21357,AOD403,AOD423.Onsemi,FAIRCHILD NVATS4A103PZ.VISHAY SUD50P04.STMicroelectronics STD37P3H6AG,STD40P3LLH6.TOSHIBA TJ60S04M3L.PANJIT .APEC AP3P9ROH,AP6679BGH.NIKO-SEM PZ0703ED,PD537BA.Potens Semiconductor PDD3959.
Zeitpunkt der Veröffentlichung: 24. November 2023
