Unter Lötautomatisierungsgeräten versteht man Geräte zur Automatisierung des Lötprozesses. Beim Hartlöten handelt es sich um eine fortschrittliche Verbindungsmethode, bei der ein Füllmetall in einen flüssigen Zustand erhitzt und durch Kapillarwirkung die Lücken zwischen festen Teilen gefüllt werden, wodurch eine metallurgische Verbindung entsteht.
Die Entwicklung von Automatisierungsgeräten für das Löten wird sowohl durch den technologischen Fortschritt als auch durch die Marktnachfrage vorangetrieben und bewegt sich schrittweise in Richtung Automatisierung und Intelligenz. Diese Geräte bieten erhebliche Vorteile bei der Verbesserung der Produktionseffizienz, der Verbesserung der Arbeitsumgebung und der Reduzierung der Arbeitsintensität. In Zukunft werden Automatisierungsgeräte für das Löten mit weiteren technologischen Innovationen und einer umfassenderen industriellen Anwendung eine immer wichtigere Rolle bei der Verbesserung der Qualität und Effizienz des Lötens spielen.
WINSOKMOSFETZu den in Lötautomatisierungsgeräten verwendeten Geräten gehören hauptsächlich Modelle wie WSP4884, WSD3050DN, WSP4606 und WSP4407. Diese MOSFET-Modelle werden aufgrund ihrer hohen Leistung und Zuverlässigkeit häufig in verschiedenen Industrie- und Elektronikgeräten, einschließlich Lötautomatisierungsgeräten, eingesetzt. Die konkreten Details lauten wie folgt:
Dieses Modell verwendet ein SOP-8-Gehäuse mit einer Spannung von 30 V und einem Strom von 8,8 A sowie einem Innenwiderstand von 18,5 mΩ. Zu den entsprechenden Modellen gehören AOS AO4822/4822A/4818B/4832/AO4914, ON Semiconductor FDS6912A, VISHAY Si4214DDY und INFINEON BSO150N03MD G.
Anwendungsszenarien: E-Zigaretten, kabellose Ladegeräte, Drohnen, medizinische Geräte, Autoladegeräte, Controller, digitale Produkte, Kleingeräte und Unterhaltungselektronik.
Dieses Modell integriert zwei N-Kanal-MOSFETs und eignet sich daher für Geräte mit hohem Leistungsbedarf, wie z. B. kabellose Ladegeräte und USB-PD-Ladegeräte. Aufgrund seines geringen Innenwiderstands und seiner hohen Leistungsdichte eignet es sich gut für miniaturisierte Geräte.
Dieses Modell verwendet ein DFN3x3-8L-Gehäuse mit einer Spannung von 30 V und einem Strom von 50 A sowie einem Innenwiderstand von nur 6,7 mΩ. Zu den entsprechenden Modellen gehören AOS AON7318/7418/7428/AON7440/7520/7528/7544/7542, ON Semiconductor NTTFS4939N/NTTFS4C08N, VISHAY SiSA84DN und Nxperian PSMN9R8-30MLC.
Anwendungsszenarien: E-Zigaretten, kabellose Ladegeräte, Controller, digitale Produkte, Kleingeräte und Unterhaltungselektronik.
Dieses Modell bietet einen extrem niedrigen Betriebswiderstand und eine extrem niedrige Gate-Kapazität und eignet sich für synchrone Hochfrequenz-Abwärtswandler, wie sie beispielsweise in Laptops und Netzwerk-Abschaltsystemen verwendet werden. Zu den Anwendungen gehören drahtlose Ladegeräte mit zwei WSD3050DN N-Kanal-Treiber-MOSFETs.
WSP4606:
Dieses Modell verwendet ein SOP-8L-Gehäuse mit einer N-Kanal-Spannung von 30 V und einem Strom von 7 A sowie einem Innenwiderstand von 18 mΩ; Die P-Kanal-Spannung beträgt ebenfalls 30 V bei einem Strom von -6 A und einem Innenwiderstand von 30 mΩ. Zu den entsprechenden Modellen gehören AOS AO4606/AO4630/AO4620/AO4924/AO4627/AO4629/AO4616, ON Semiconductor ECH8661/FDS8958A, VISHAY Si4554DY und Nxperian PSMN9R8-30MLC.
Anwendungsszenarien: E-Zigaretten, kabellose Ladegeräte, Drohnen, medizinische Geräte, Autoladegeräte, Controller, digitale Produkte, Kleingeräte und Unterhaltungselektronik.
Dieser MOSFET im N+P-Gehäuse verfügt über einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand und eine extrem niedrige Gate-Kapazität und eignet sich für Halbbrücken und Wandler in Energieverwaltungssystemen. Zu den Anwendungsbeispielen gehören drahtlose Ladegeräte mit zwei WSP4606-MOS-Treibern.
WSP4407:
Dieses P-Kanal-Modell verwendet ein SOP-8L-Gehäuse mit einer Spannung von -30 V und einem Strom von -13 A sowie einem Innenwiderstand von 9,6 mΩ. Zu den entsprechenden Modellen gehören AOS AO4407/4407A/AOSP21321/AOSP21307, ON Semiconductor FDS6673BZ, VISHAY Si4825DDY und STMicroelectronics STS10P3LLH6/STS5P3LLH6/STS6P3LLH6/STS9P3LLH6.
Anwendungsszenarien: E-Zigaretten, Controller, digitale Produkte, Kleingeräte und Unterhaltungselektronik.
Dieser Hochleistungs-P-MOSFET verfügt über einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand und eine extrem niedrige Gate-Kapazität, wodurch er für synchrone Hochfrequenz-Abwärtswandler geeignet ist. Ein Anwendungsbeispiel ist das USB-PD-Ladegerät, bei dem der PD-Ausgangsschutz-MOS WSP4407 verwendet.
Zusammenfassend gehören zu den wichtigsten WINSOK-MOSFET-Modellen, die in Geräten zur Lötautomatisierung verwendet werden, WSP4884, WSD3050DN, WSP4606 und WSP4407. Mit ihrer hervorragenden Leistung können diese Modelle die Anforderungen unterschiedlicher Anwendungsszenarien erfüllen und so den effizienten Betrieb von Lötanlagen gewährleisten.
Zeitpunkt der Veröffentlichung: 02.09.2024