AON6661 AON6667 AOND32324 PJQ5606 PDC3701T Mittel- und Niederspannungs-Leistungs-MOSFETs
MOSFET-Produktübersicht
Die Spannung BVDSS des AOS AON6661 beträgt 30 V–30 V, die Stromstärke ID beträgt 16 A–16 A und der Innenwiderstand RDSON beträgt 35 mΩ.
Die Spannung BVDSS des AOS AON6667 beträgt 30 V–30 V, die Stromstärke ID beträgt 16 A–16 A und der Innenwiderstand RDSON beträgt 35 mΩ.
Die Spannung BVDSS des AOS AOND32324 beträgt 30 V–30 V, die Stromstärke ID beträgt 16 A–16 A und der Innenwiderstand RDSON beträgt 19,5 mΩ.
Die Spannung BVDSS des PANJIT PJQ5606 beträgt 30 V–30 V, die Stromstärke ID beträgt 25 A–22 A und der Innenwiderstand RDSON beträgt 28 mΩ.
Die Spannung BVDSS des POTENS PDC3701T beträgt 30 V bis 30 V, der Strom ID beträgt 23,3 A bis 15,2 A und der Innenwiderstand RDSON beträgt 29 mΩ.
entsprechende Materialnummer
Die Spannung BVDSS des WINSOK WSD3023DN56 FET beträgt 30 V/-30 V, die Strom-ID beträgt 14 A/-12 A, der Innenwiderstand RDSON beträgt 14 mΩ/23 mΩ, N-Kanal und P-Kanal, und das Gehäuse ist DFN5*6-8.
MOSFET-Anwendungsfelder
UAV-MOSFET, Motor-MOSFET, Automobilelektronik-MOSFET und Großgeräte-MOSFET.
