AON6312 AON6358 AON6360 AON6734 AON6792 AONS36314 NTMFS4847N SiRA62DP STL86N3LLH6AG MOSFETs
MOSFET-Produktübersicht
Die Spannung BVDSS des AOS AON6312 beträgt 30 V, der Strom-ID beträgt 85 A und der Innenwiderstand RDSON beträgt 2,5 mΩ.
Die Spannung BVDSS des AOS AON6358 beträgt 30 V, der Strom-ID beträgt 85 A und der Innenwiderstand RDSON beträgt 3,6 mΩ.
Die Spannung BVDSS des AOS AON6360 beträgt 30 V, der Strom-ID beträgt 85 A und der Innenwiderstand RDSON beträgt 5 mΩ.
Die Spannung BVDSS des AOS AON6734 beträgt 30 V, der Strom-ID beträgt 85 A und der Innenwiderstand RDSON beträgt 3,5 mΩ.
Die Spannung BVDSS des AOS AON6792 beträgt 30 V, der Strom-ID beträgt 85 A und der Innenwiderstand RDSON beträgt 2,5 mΩ.
Die Spannung BVDSS des AOS AONS36314 beträgt 30 V, der Strom-ID beträgt 85 A und der Innenwiderstand RDSON beträgt 3,5 mΩ.
Beim NTMFS4847N beträgt die Spannung BVDSS 30 V, der Strom ID 85 A und der Innenwiderstand RDSON 6,2 mΩ.
Die Spannung BVDSS des VISHAY SiRA62DP beträgt 30 V, der Strom-ID beträgt 80 A und der Innenwiderstand RDSON beträgt 12 mΩ.
Die ST STL86N3LLH6AG-Spannung BVDSS beträgt 30 V, der Strom-ID beträgt 80 A und der Innenwiderstand RDSON beträgt 5,2 mΩ.
entsprechende Materialnummer
Die Spannung BVDSS des WINSOK WSD30140DN56 FET beträgt 30 V, der Strom-ID beträgt 85 A, der Innenwiderstand RDSON beträgt 1,7 mΩ, N-Kanal, und das Gehäuse ist DFN5*6-8.
MOSFET-Anwendungsfelder
E-Zigaretten-MOSFET, drahtloser Lade-MOSFET, Drohnen-MOSFET, medizinischer MOSFET, Autolade-MOSFET, Controller-MOSFET, Digitalprodukt-MOSFET, MOSFET für kleine Haushaltsgeräte, Unterhaltungselektronik-MOSFET usw.
