AO6604 AO6608 PJS6601 PDQ3714 Si3585CDV MOSFETs mittlerer und niedriger Leistung
MOSFET-Produktübersicht
AOS AO6604 Spannung BVDSS beträgt 20 V – 20 V, Strom-ID beträgt 3,4 A – 2,5 A, Innenwiderstand RDSON beträgt –115 mΩ
AOS AO6608 Spannung BVDSS beträgt 30 V–20 V, Strom-ID beträgt 3,4 A–3,3 A, Innenwiderstand RDSON beträgt 135 mΩ
PANJIT PJS6601 Spannung BVDSS beträgt 20 V 20 V, Strom-ID beträgt 4,1 A – 3,1 A, Innenwiderstand RDSON beträgt 95 mΩ
POTENS PDQ3714 Spannung BVDSS beträgt 30 V – 30 V, Strom-ID beträgt 4 A – 3 A, Innenwiderstand RDSON beträgt 65 mΩ
Die Spannung BVDSS des VISHAY Si3585CDV beträgt 20 V – 20 V, der Strom-ID beträgt 3,9 A – 2,1 A, der Innenwiderstand RDSON beträgt 48 mΩ
entsprechende Materialnummer
Die Spannung BVDSS des WINSOK WST2078 FET beträgt 20 V–20 V, der Strom-ID beträgt 3,8 A–4,5 A, der Innenwiderstand RDSON beträgt 45 mΩ 65 mΩ, N&P-Kanal und das Gehäuse ist SOT-23-6L.
MOSFET-Anwendungsfelder
E-Zigaretten-FET, Controller-FET, Digitalprodukt-FET, Kleinhaushaltsgerät-FET, Unterhaltungselektronik-FET.
